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1. (WO2016084141) SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/084141    International Application No.:    PCT/JP2014/081148
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 26.11.2014
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: KOBAYASHI Keisuke; (JP).
HISAMOTO Digh; (JP).
MOCHIZUKI Kazuhiro; (JP)
Agent: SEIRYO I.P.C.; 24-2, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE COMMUTATION À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 半導体スイッチング素子および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a silicon carbide semiconductor device wherein a gate insulating film has an excellent withstand voltage. This silicon carbide semiconductor device is characterized by being provided with: a first conductivity-type silicon carbide semiconductor substrate; a first conductivity-type drift region formed on a main surface of the semiconductor substrate; and a second conductivity-type base region formed in a surface layer of the drift region. The silicon carbide semiconductor device is also characterized in that the second conductivity-type base region has a shape wherein the angle formed between the first conductivity-type drift region and a metallurgical boundary of a second conductivity-type impurity implantation region is smaller than 90 degrees at a metallurgical boundary expansion end in the horizontal direction in the second conductivity-type impurity implantation region in a first conductivity-type drift region surface, said end being in the direction opposite to the off direction.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium dans lequel un film d'isolation de grille présente une excellente résistance à la tension. Ce dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium est caractérisé en ce qu'il est pourvu : d'un substrat semi-conducteur au carbure de silicium d'un premier type de conductivité ; d'une zone de migration du premier type de conductivité formée sur une surface principale du substrat semi-conducteur ; et d'une zone de base d'un second type de conductivité formée dans une couche de surface de la zone de migration. Le dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium est également caractérisé en ce que la zone de base du second type de conductivité présente une forme dans laquelle l'angle formé entre la zone de migration du premier type de conductivité et une limite métallurgique d'une zone d'implantation d'impuretés du second type de conductivité est inférieur à 90 degrés au niveau d'une extrémité d'extension de limite métallurgique dans la direction horizontale dans la zone d'implantation d'impuretés du second type de conductivité dans une surface de la zone de migration du premier type de conductivité, ladite extrémité étant dans la direction opposée à la direction d'inclinaison.
(JA) ゲート絶縁膜における耐圧に優れる炭化珪素半導体装置を提供する。 第1導電型の炭化ケイ素半導体基板と、半導体基板の主面上に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表層に形成された第2導電型のベース領域と、を備え、第2導電型のベース領域の形状は、オフ方向と反対方向の第1導電型のドリフト領域の表面における第2導電型の不純物注入領域の冶金学的境界の水平方向拡がり端において、第1導電型のドリフト領域と第2導電型の不純物注入領域の冶金学的境界とがなす角度が90度未満となる特徴を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)