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1. (WO2016083609) LASER-BASED SEPARATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/083609    International Application No.:    PCT/EP2015/077980
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 27.11.2015
Chapter 2 Demand Filed:    27.09.2016    
IPC:
B23K 26/00 (2014.01), B23K 26/402 (2014.01)
Applicants: SILTECTRA GMBH [--/DE]; im TZ Dresden Nord - Haus "E" Manfred-von-Ardenne-Ring 20 01099 Dresden (DE)
Inventors: BEYER, Christian; (DE).
RICHTER, Jan; (DE)
Agent: ASCHERL, Andreas; (DE)
Priority Data:
10 2014 017 583.9 27.11.2014 DE
10 2014 017 582.0 27.11.2014 DE
10 2014 018 720.9 17.12.2014 DE
10 2014 018 841.8 17.12.2014 DE
Title (DE) LASERBASIERTES TRENNVERFAHREN
(EN) LASER-BASED SEPARATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE SÉPARATION PAR LASER
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen eines Ablösebereichs (2) in einem Festkörper (1), insbesondere zum Teilen des Festkörpers (1) entlang des Ablösebereichs (2), wobei der abzulösende Festkörperanteil (12) dünner ist als der um den Festkörperanteil (12) reduzierte Festkörper (1). Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren bevorzugt mindestens die Schritte: Modifizieren des Kristallgitters des Festkörpers (1) mittels eines Modifiziermittels, insbesondere mittels zumindest eines Lasers, insbesondere eines Piko- oder Femtosekunden-Laser, wobei die Modifikationen, insbesondere die Laserstrahlen, über eine Oberfläche (5) des abzulösenden Festkörperanteils (12) in den Festkörper (1) eindringen, wobei mehrere Modifikationen (9) in dem Kristallgitter erzeugt werden, wobei das Kristallgitter in Folge der Modifikationen (9) in den die Modifikationen (9) umgebenden Bereichen zumindest in jeweils einem Anteil einreist.
(EN)The invention relates to a method for creating a detachment area (2) in a solid (1), in particular for detaching the solid (1) along the separating region (2). Said solid portion (12) that is to be detached is thinner than the solid body (1) from which the solid portion (12) has been removed. According to the invention, said method preferably comprises at least the following steps: the crystal lattice of the solid (1) is modified by means of a modifying agent, in particular by means of at least one laser, in particular a pico- or femtosecond laser. The modifications, in particular the laser beams penetrate into the solid (1) via a surface (5) of the solid portion (12) which is to be detached, several modifications (9) are created in the crystal lattice, said crystal lattice penetrates, following said modifications (9), in the areas surrounding the modifications (9), at least in one particular part.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une zone de détachement (2) dans un corps solide (1), en particulier pour séparer ledit corps solide (1) le long de la zone de détachement (2). la partie (12) du corps solide à détacher étant plus mince que le corps solide (1) diminué de ladite partie (12). Selon l'invention, ledit procédé comprend au moins les étapes suivantes : modifier le réseau cristallin du corps solide (1) au moyen d'un agent modifiant, en particulier au moyen d'au moins un laser, en particulier un laser picosecondes ou femtosecondes, les modifications, à savoir en particulier les faisceaux laser qui pénètrent dans le corps solide (1) par une surface (5) de la partie (12) de corps solide à détacher, plusieurs modifications (9) intervenant dans le réseau cristallin, ledit réseau cristallin pénétrant, suite auxdites modifications (9), dans les zones entourant lesdites modifications (9). au moins dans une certaine partie respective.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)