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1. (WO2016082420) LOW DROPOUT LINEAR VOLTAGE REGULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/082420    International Application No.:    PCT/CN2015/076294
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 10.04.2015
IPC:
G05F 1/56 (2006.01)
Applicants: SANECHIPS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; ZTE Industrial Park, Liuxian Avenue, Xili Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518055 (CN)
Inventors: ZHENG, Yuliang; (CN)
Agent: CHINA PAT INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 2nd Floor, Zhongguancun Intellectual Property Building, Block B, No.21 Haidian South Road, Haidian Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201410683190.1 24.11.2014 CN
Title (EN) LOW DROPOUT LINEAR VOLTAGE REGULATOR
(FR) RÉGULATEUR LINÉAIRE DE TENSION À FAIBLE CHUTE
(ZH) 一种低压差线性稳压器
Abstract: front page image
(EN)An LDO linear voltage regulator comprises an error amplifier (11), a power transistor (12), a first divider resistor (13), a second divider resistor (14), a load (15), a regenerative feedback circuit (16), and a load current sampling circuit (17). A positive input end of the error amplifier (11) inputs a reference voltage, a reverse input end of the error amplifier (11) is connected between the first divider resistor (13) and the second divider resistor (14), and an output end of the error amplifier (11) is connected to a gate of the power transistor (12). A source of the power transistor (12) is connected to an input voltage, and a drain of the power transistor (12) is grounded by means of the first divider resistor (13), the second divider resistor (14) and the load (15). The regenerative feedback circuit (16) is separately connected to the gate and the drain of the power transistor (12) and the load current sampling circuit (17). The load current sampling circuit (17) is also separately connected to an offset input end and the output end of the error amplifier (11).
(FR)L'invention concerne un régulateur linéaire de tension LDO comportant un amplificateur (11) d'erreur, un transistor (12) de puissance, une première résistance (13) de division, une deuxième résistance (14) de division, une charge (15), un circuit (16) de réaction régénérative et un circuit (17) d'échantillonnage de courant dans la charge. Une extrémité d'entrée positive de l'amplificateur (11) d'erreur introduit une tension de référence, une extrémité d'entrée inversée de l'amplificateur (11) d'erreur est branchée entre la première résistance (13) de division et la deuxième résistance (14) de division, et une extrémité de sortie de l'amplificateur (11) d'erreur est reliée à une grille du transistor (12) de puissance. Une source du transistor (12) de puissance est reliée à une tension d'entrée, et un drain du transistor (12) de puissance est mis à la terre par l'intermédiaire de la première résistance (13) de division, de la deuxième résistance (14) de division et de la charge (15). Le circuit (16) de réaction régénérative est relié séparément à la grille et au drain du transistor (12) de puissance et au circuit (17) d'échantillonnage de courant dans la charge. Le circuit (17) d'échantillonnage de courant dans la charge est également relié séparément à une extrémité d'entrée décalée et à l'extrémité de sortie de l'amplificateur (11) d'erreur.
(ZH)一种LDO线性稳压器,包括:误差放大器(11)、功率管(12)、第一分压电阻(13)、第二分压电阻(14)、负载(15)、正反馈电路(16)和负载电流采样电路(17);其中,误差放大器(11)的正向输入端输入参考电压,反向输入端连接至第一分压电阻(13)和第二分压电阻(14)之间,输出端连接所述功率管(12)的栅极;功率管(12)的源极连接输入电压,漏极分别通过第一分压电阻(13)和第二分压电阻(14)、负载(15)接地;正反馈电路(16)分别与所述功率管(12)的栅极、漏极以及负载电流采样电路(17)相连接;负载电流采样电路(17)还分别与所述误差放大器(11)的偏置输入端及输出端相连接。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)