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1. (WO2016082391) PHOTODIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND X-RAY DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/082391    International Application No.:    PCT/CN2015/075030
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 25.03.2015
IPC:
H01L 31/105 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd. Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: ZHAO, Lei; (CN).
GUO, Wei; (CN)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd. Haidian District Beijing 100089 (CN)
Priority Data:
201410696940.9 26.11.2014 CN
Title (EN) PHOTODIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND X-RAY DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PHOTODIODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DÉTECTEUR DE RAYONS X ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 光电二极管及其制备方法、X射线探测器及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)A PIN photodiode comprises a first doped layer (6), a second doped layer (8), and an intrinsic layer (7) located between the first doped layer and the second doped layer. The first doped layer is disposed on a source/drain electrode layer (5) of a thin film transistor of the X-ray detector. A heavily-doped region (9), the doping concentration of which is greater than that of the second doped layer, is disposed in the second doped layer. The heavily-doped region is electrically connected to a cathode (11) of the PIN photodiode.
(FR)La présente invention porte sur une photodiode PIN qui comprend une première couche dopée (6), une seconde couche dopée (8), et une couche intrinsèque (7) située entre la première couche dopée et la seconde couche dopée. La première couche dopée est disposée sur une couche d'électrode de source/drain (5) d'un transistor à couches minces du détecteur de rayons X. Une zone fortement dopée (9), dont la concentration de dopage est supérieure à celle de la seconde couche dopée, est disposée dans la seconde couche dopée. La zone fortement dopée est électriquement connectée à une cathode (11) de la photodiode PIN.
(ZH)一种PIN光电二极管,包括第一掺杂层(6)、第二掺杂层(8)以及位于第一和第二掺杂层之间的本征层(7),第一掺杂层设置在X射线探测器的薄膜晶体管的源/漏电极层(5)上,第二掺杂层中设置有掺杂浓度比第二掺杂层的掺杂浓度更大的重掺杂区(9),重掺杂区与PIN光电二极管的阴极(11)电连接。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)