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1. (WO2016080854) HYBRID ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE-BASED SOLAR CELL WITH COPPER OXIDE AS A HOLE TRANSPORT MATERIAL
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Pub. No.:    WO/2016/080854    International Application No.:    PCT/QA2015/050002
Publication Date: 26.05.2016 International Filing Date: 20.11.2015
IPC:
H01L 51/42 (2006.01)
Applicants: QATAR FOUNDATION FOR EDUCATION, SCIENCE AND COMMUNITY DEVELOPMENT [QA/QA]; Education City P.O. Box 5825 Doha (QA)
Inventors: TABET, Nouar Amor; (QA).
ALHARBI, Fahhad Hussain; (QA).
HOSSAIN, Mohammad Istiaque; (QA)
Priority Data:
62/082,583 20.11.2014 US
Title (EN) HYBRID ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE-BASED SOLAR CELL WITH COPPER OXIDE AS A HOLE TRANSPORT MATERIAL
(FR) CELLULE SOLAIRE À BASE DE PÉROVSKITE HYBRIDE ORGANIQUE-INORGANIQUE UTILISANT DE L'OXYDE DE CUIVRE COMME MATÉRIAU DE TRANSPORT DE TROUS
Abstract: front page image
(EN)The hybrid organic-inorganic perovskite-based solar cell with copper oxide as a hole transport material includes a transparent conducting film layer (12) sandwiched between a glass substrate (11) and a titanium dioxide layer (14). The transparent conducting film layer (12) can be fluorine-doped tin oxide. A lead methylammonium tri-iodide perovskite layer (16) is formed on the titanium dioxide layer (14), such that the titanium dioxide layer (14) is sandwiched between the lead methylammonium tri-iodide perovskite layer (16) and the transparent conducting film layer (12). A layer of copper oxide (Cu2O) (18), as a hole transport material, is formed on the lead methylammonium tri-iodide perovskite layer (16). The lead methylammonium tri-iodide perovskite layer (16) is sandwiched between the layer of hole transport material (18) and the titanium dioxide layer (14). A gold contact (20) is formed on the layer of hole transport material (18).
(FR)La présente invention concerne une cellule solaire à base de pérovskite hybride organique-inorganique, utilisant de l'oxyde de cuivre comme matériau de transport de trous, comprenant une couche de film conducteur transparent (12) prise en sandwich entre un substrat de verre (11) et une couche de dioxyde de titane (14). La couche de film conducteur transparent (12) peut être de l'oxyde d'étain dopé au fluor. Une couche de pérovskite (16) de méthylammonium tri-iodure de plomb est formée sur la couche de dioxyde de titane (14), de sorte que la couche de dioxyde de titane (14) est prise en sandwich entre la couche de pérovskite (16) de méthylammonium tri-iodure de plomb et la couche de film conducteur transparent (12). Une couche d'oxyde de cuivre (Cu2O) (18), utilisée comme matériau de transport de trous, est formée sur la couche de pérovskite (16) de méthylammonium tri-iodure de plomb. La couche de pérovskite (16) de méthylammonium tri-iodure de plomb est prise en sandwich entre la couche de matériau de transport de trous (18) et la couche de dioxyde de titane (14). Un contact en or (20) est formé sur la couche de matériau de transport de trous (18).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)