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1. WO2016076639 - LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ KO ]

【청구의 범위】

【청구항 1】

상면에 복수의 오목부 및 돌출부를 포함하는 패터닝된 사파이어 기판 (PSS);

상기 오목부 상에 위치하는 오목부 버퍼층, 및 상기 돌출부의 측면 상에 위치하며, 복수의 아일랜드 형태로 분산되어 배치된 돌출부 버퍼층을 포함하는 버퍼층;

상기 버퍼층 및 상기 PSS 상에 위치하며, 상기 돌출부를 덮는 하부 질화물층;

상기 돌출부의 측면과 상기 하부 질화물층 간의 계면에 위치하는 공동; 상기 하부 질화물층 상에 위치하는 게 1 도전형 반도체층;

상기 제 1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제 2 도전형 반도체층; 및 상기 제 1 및 제 2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 소자.

【청구항 2

청구항 1에 있어서,

상기 버퍼층은, AlGaN을 포함하는 발광 소자.

【청구항 3】

청구항 2에 있어서,

상기 버퍼층에 포함된 AlGaN의 A1 조성비는 0초과 4%이하인 발광 소자.

【청구항 4】

청구항 1에 있어서,

상기 공동은 상기 복수의 아일랜드로 형태로 배치된 돌출부 버퍼층에 인접하여 위치하는 발광 소자.

【청구항 5】

청구항 1에 있어서,

상기 하부 질화물층은, 상기 오목부 버퍼층을 시드로 성장되어 형성된 러프층; 및 상기 러프층 상에 위치하는 리커버리층을 포함하는 발광 소자. 【청구항 6】

청구항 1에 있어서,

상기 하부 질화물층은 언도프 질화물층을 포함하는 발광 소자.

【청구항 7】

청구항 1에 있어서,

상기 공동의 크기는 50 내지 300nm인 발광 소자.

【청구항 8】

상면에 복수의 오목부 및 돌출부를 포함하는 패터닝된 사파이어 기판 (PSS)을 준비하고;

상기 PSS 상에 버퍼층을 형성하되, 상기 버퍼층은 상기 오목부의 상면에 형성된 오목부 버퍼층 및 상기 돌출부 측면의 적어도 일부분 상에 형성된 돌출부 버퍼층을 포함하고;

상기 버퍼층 상에 상기 돌출부를 덮는 하부 질화물층을 형성하고; 상기 하부 질화물층 상에 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제 2 도전형 반도체층, 및 상기 제 1 및 제 2 도전형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조체를 형성하는 것을 포함하고,

상기 버퍼층은 60CTC 이하의 온도 조건에서 성장되고, - 상기 하부 질화물층을 형성하는 것은, 상기 돌출부 측면과 상기 하부 질화물층 간의 계면에 위치하는 공동을 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.

【청구항 9]

청구항 8에 있어서,

상기 버퍼층은, AlGaN을 포함하는 발광 소자 제조 방법.

【청구항 10】

청구항 9에 있어서,

상기 하부 질화물층을 성장하는 것은,

상기 오목부 버퍼층을 시드로, 수직 방향으로의 성장이 수평 방향으로의 성장보다 우세한 3D 성장되는 러프층을 성장시키고; 및

상기 러프층 상에, 수평 방향으로의 성장이 수직 방향으로의 성장보다 우세한 2D 성장되는 리커버리층을 성장시키는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.

【청구항 11】

청구항 10에 있어서,

상기 러프층은 상기 돌출부들을 둘러싸는 복수의 아일랜드로 성장되어 상기 아일랜드들이 병합되어 형성된 발광 소자 제조 방법.