WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016064508) THREE DIMENSIONAL NAND STRING MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/064508    International Application No.:    PCT/US2015/051242
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 21.09.2015
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: PACHAMUTHU, Jayavel; (US).
ALSMEIER, Johann; (US).
CHIEN, Henry; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; (US)
Priority Data:
14/520,084 21.10.2014 US
Title (EN) THREE DIMENSIONAL NAND STRING MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À CHAÎNE NON-ET TRIDIMENSIONNELLE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Monolithic three-dimensional NAND memory strings and methods of fabricating a monolithic three-dimensional NAND memory string include forming single crystal or large grain polycrystalline semiconductor material charge storage regions by a metal induced crystallization process. In another embodiment, a plurality of front side recesses are formed having a concave-shaped surface and a blocking dielectric and charge storage regions are formed within the front side recesses and over the concave-shaped surface. In another embodiment, layers of oxide material exposed in a front side opening of a material layer stack are surface nitrided and etched to provide convexly-rounded corner portions, and a blocking dielectric is formed over the convexly-rounded corner portions.
(FR)L'invention concerne des chaînes de mémoire NON-ET tridimensionnelles monolithiques et des procédés de fabrication d'une chaîne de mémoire NON-ET tridimensionnelle monolithique qui consistent à former des régions de stockage de charge de matériau semi-conducteur monocristallin ou polycristallin à gros grains par un procédé de cristallisation induite par un métal. Dans un autre mode de réalisation, une pluralité d'évidements de côté avant sont formés en ayant une surface de forme concave et un diélectrique de blocage et des régions de stockage de charge sont formés à l'intérieur des évidements de côté avant et sur la surface de forme concave. Dans un autre mode de réalisation, des couches de matériau d'oxyde exposées dans une ouverture de côté avant d'une pile de couche de matériau sont nitrurées en surface et gravées pour fournir des parties de coin arrondies de manière convexe, et un diélectrique de blocage est formé sur les parties de coin arrondies de manière convexe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)