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1. (WO2016063805) RESIST UNDERLAY FILM-FORMING COMPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/063805    International Application No.:    PCT/JP2015/079323
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 16.10.2015
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08G 59/22 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: NISHITA, Tokio; (JP).
FUJITANI, Noriaki; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP)
Agent: HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2014-214581 21.10.2014 JP
Title (EN) RESIST UNDERLAY FILM-FORMING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST
(JA) レジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a composition for forming a resist underlay film, the composition being capable of forming a resist pattern in which LWR representing the variation in line width of a resist pattern is smaller than in conventional resist patterns. [Solution] A resist underlay film-forming composition for lithography includes: a polymer; 0.1-30 parts by mass of a compound or a hydrate thereof relative to 100 parts by mass of said polymer, said compound having an amino group which is protected by a tert-butoxycarbonyl group and an unprotected carboxyl group; and a solvent.
(FR)La présente invention vise à proposer une composition destinée à former un film de sous-couche de résist, la composition étant apte à former un motif de résist dans lequel LWR représentant la variation de largeur de ligne d'un motif de résist est plus petit que dans des motifs de résist classique. À cet effet, une composition filmogène de sous-couche de résist pour lithographie comprend : un polymère ; un composé ou un hydrate de ce dernier, ledit composé ayant 0,1-30 parties en masse d'un groupe amino qui est protégé par un groupe tert-butoxycarbonyle, et un groupe carboxyle non protégé, par rapport à 100 parties en masse dudit polymère ; et un solvant.
(JA)【課題】 レジストパターンの線幅のバラツキを表すLWRが従来よりも小さいレジストパターンを形成できる、レジスト下層膜を形成するための組成物を提供する。 【解決手段】 ポリマー、該ポリマー100質量部に対し0.1質量部乃至30質量部の、tert-ブトキシカルボニル基で保護されたアミノ基と保護されていないカルボキシル基とを有する化合物又は該化合物の水和物、及び溶剤を含む、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)