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1. (WO2016063644) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/063644    International Application No.:    PCT/JP2015/075281
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 07.09.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: HATTA Hideyuki; (JP).
MIURA Naruhisa; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Priority Data:
2014-213408 20.10.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A source region 12 of a MOSFET includes: a source contact region 12a connected to a source electrode 41; a source extension region 12b adjacent to a channel region of a well region 20; and a source resistance control region 15 disposed between the source extension region 12b and the source contact region 12a. The source resistance control region 15 includes: a low-concentration source resistance control region 15a which has an impurity concentration less than that of the source contact region 12a or the source extension region 12b; and a high-concentration source resistance control region 15b which is formed between the well region 20 and the low-concentration source resistance control region 15a and has an impurity concentration greater than that of the low-concentration source resistance control region 15a.
(FR)Selon la présente invention, une zone de source 12 d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) comprend : une zone de contact de source 12a connectée à une électrode de source 41; une zone d'extension de source 12b adjacente à une zone de canal d'une zone de puits 20; et une zone de commande de résistance de source 15 disposée entre la zone d'extension de source 12b et la zone de contact de source 12a. La zone de commande de résistance de source 15 comprend : une zone de commande de résistance de source à faible concentration 15a qui présente une concentration d'impuretés inférieure à celle de la zone de contact de source 12a ou de la zone d'extension de source 12b; et une zone de commande de résistance de source à forte concentration 15b qui est formée entre la zone de puits 20 et la zone de commande de résistance de source à faible concentration 15a et présente une concentration d'impuretés supérieure à celle de la zone de commande de résistance de source à faible concentration 15a.
(JA) MOSFETのソース領域12は、ソース電極41に接続するソースコンタクト領域12aと、ウェル領域20のチャネル領域に隣接するソースエクステンション領域12bと、ソースエクステンション領域12bとソースコンタクト領域12aとの間に配設されたソース抵抗制御領域15とを含む。ソース抵抗制御領域15は、ソースコンタクト領域12aあるいはソースエクステンション領域12bよりも不純物濃度が低い低濃度ソース抵抗制御領域15aと、ウェル領域20と低濃度ソース抵抗制御領域15aとの間に形成され、低濃度ソース抵抗制御領域15aよりも不純物濃度が高い高濃度ソース抵抗制御領域15bとを含んでいる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)