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1. (WO2016063608) HETEROJUNCTION BACK CONTACT SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/063608    International Application No.:    PCT/JP2015/073572
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 21.08.2015
IPC:
H01L 31/0216 (2014.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: OKAMOTO, Chikao; .
KOBAYASHI, Masamichi; .
TADOKORO, Hiroyuki; .
HIEDA, Takeshi;
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2014-214491 21.10.2014 JP
Title (EN) HETEROJUNCTION BACK CONTACT SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE À CONTACT ARRIÈRE À HÉTÉROJONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ヘテロバックコンタクト型太陽電池とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This method for manufacturing a heterojunction back contact cell comprises: a step for forming a dielectric film (6) so as to be in contact with a first surface (1a) of a semiconductor substrate (1), said dielectric film (6) containing nitrogen and silicon; a step for forming an amorphous semiconductor film (3) of a first conductivity type and an amorphous semiconductor film (5) of a second conductivity type on a second surface (1b) of the semiconductor substrate (1), said second surface (1b) being on the reverse side of the first surface (1a); a step for forming a first electrode (7) on the amorphous semiconductor film (3) of a first conductivity type; and a step for forming a second electrode (8) on the amorphous semiconductor film (5) of a second conductivity type.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une cellule à contact arrière à hétérojonction, qui comprend : une étape consistant à former un film diélectrique (6) de manière à ce qu'il soit en contact avec une première surface (1a) d'un substrat semi-conducteur (1), ledit film diélectrique (6) contenant de l'azote et du silicium; une étape consistant à former un film semi-conducteur amorphe (3) d'un premier type de conductivité et un film semi-conducteur amorphe (5) d'un second type de conductivité sur une seconde surface (1b) du substrat semi-conducteur (1), ladite seconde surface (1b) étant à l'opposé de la première surface (1a); une étape consistant à former une première électrode (7) sur le film semi-conducteur amorphe (3) du premier type de conductivité; et une étape consistant à former une seconde électrode (8) sur le film semi-conducteur amorphe (5) du second type de conductivité.
(JA)ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法は、半導体基板(1)の第1の面(1a)に接するように、窒素と珪素とを含む誘電体膜(6)を形成する工程と、半導体基板(1)の第1の面(1a)と反対側の第2の面(1b)側に、第1導電型非晶質半導体膜(3)および第2導電型非晶質半導体膜(5)を形成する工程と、第1導電型非晶質半導体膜(3)上に第1電極(7)を形成する工程と、第2導電型非晶質半導体膜(5)上に第2電極(8)を形成する工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)