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1. (WO2016063510) HALL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/063510    International Application No.:    PCT/JP2015/005240
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 16.10.2015
IPC:
H01L 43/06 (2006.01), G01R 33/07 (2006.01)
Applicants: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION [JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101 (JP)
Inventors: AKAGI, Tsuyoshi; (JP).
FURUYA, Takaaki; (JP)
Agent: MORI, Tetsuya; (JP)
Priority Data:
2014-214451 21.10.2014 JP
2014-252856 15.12.2014 JP
Title (EN) HALL ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET HALL
(JA) ホール素子
Abstract: front page image
(EN) The present invention pertains to a Hall element having an excellent S/N ratio. This invention is provided with a substrate (100), a first electrode (22a) and a second electrode (23a) disposed on the substrate, a third electrode (22b) disposed on the substrate at a position facing the first electrode, a fourth electrode (23b) disposed on the substrate at a position facing the second electrode, and a magneto-sensitive part (10) connected to the first to fourth electrodes. The magneto-sensitive part (10) is provided with a rectangular first magneto-sensitive region (10-1), a second magneto-sensitive region (10-2) perpendicularly intersecting the first magneto-sensitive region, and a third magneto-sensitive region (10-3) to a sixth magneto-sensitive region (10-6) formed near an intersecting region (10-0), which is a region at which the first magneto-sensitive region and the second magneto-sensitive region intersect.
(FR) La présente invention se rapporte à un élément à effet Hall présentant un excellent rapport signal sur bruit (S/N). Cette invention comprend un substrat (100), une première électrode (22a) et une deuxième électrode (23a) disposées sur le substrat, une troisième électrode (22b) disposée sur le substrat à une position faisant face à la première électrode, une quatrième électrode (23b) disposée sur le substrat à une position faisant face à la deuxième électrode, et une partie magnéto-sensible (10) connectée aux quatre électrodes. La partie magnéto-sensible (10) est pourvue d'une première région magnéto-sensible rectangulaire (10-1), d'une deuxième région magnéto-sensible (10-2) croisant perpendiculairement la première région magnéto-sensible, et d'une troisième région magnéto-sensible (10-3) à une sixième région magnéto-sensible (10-6) formées près d'une région d'intersection (10-0), qui est une région au niveau de laquelle la première région magnéto-sensible et la deuxième région magnéto-sensible se croisent.
(JA) 本発明は、S/N比の優れたホール素子に関する。基板(100)と、基板上に配置される第1の電極(22a)及び第2の電極(23a)と、基板上で、かつ、第1の電極と対向する位置に配置される第3の電極(22b)と、基板上で、かつ、第2の電極と対向する位置に配置される第4の電極(23b)と、第1から第4の電極に接続する感磁部(10)とを備える。感磁部(10)は、矩形状である第1の感磁領域(10-1)と、第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域(10-2)と、第1の感磁領域と第2の感磁領域の交差する領域である交差領域(10-0)の近傍に形成された第3の感磁領域(10-3)から第6の感磁領域(10-6)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)