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1. (WO2016063510) HALL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/063510    International Application No.:    PCT/JP2015/005240
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 16.10.2015
H01L 43/06 (2006.01), G01R 33/07 (2006.01)
Applicants: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION [JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101 (JP)
Inventors: AKAGI, Tsuyoshi; (JP).
FURUYA, Takaaki; (JP)
Agent: MORI, Tetsuya; (JP)
Priority Data:
2014-214451 21.10.2014 JP
2014-252856 15.12.2014 JP
(JA) ホール素子
Abstract: front page image
(EN) The present invention pertains to a Hall element having an excellent S/N ratio. This invention is provided with a substrate (100), a first electrode (22a) and a second electrode (23a) disposed on the substrate, a third electrode (22b) disposed on the substrate at a position facing the first electrode, a fourth electrode (23b) disposed on the substrate at a position facing the second electrode, and a magneto-sensitive part (10) connected to the first to fourth electrodes. The magneto-sensitive part (10) is provided with a rectangular first magneto-sensitive region (10-1), a second magneto-sensitive region (10-2) perpendicularly intersecting the first magneto-sensitive region, and a third magneto-sensitive region (10-3) to a sixth magneto-sensitive region (10-6) formed near an intersecting region (10-0), which is a region at which the first magneto-sensitive region and the second magneto-sensitive region intersect.
(FR) La présente invention se rapporte à un élément à effet Hall présentant un excellent rapport signal sur bruit (S/N). Cette invention comprend un substrat (100), une première électrode (22a) et une deuxième électrode (23a) disposées sur le substrat, une troisième électrode (22b) disposée sur le substrat à une position faisant face à la première électrode, une quatrième électrode (23b) disposée sur le substrat à une position faisant face à la deuxième électrode, et une partie magnéto-sensible (10) connectée aux quatre électrodes. La partie magnéto-sensible (10) est pourvue d'une première région magnéto-sensible rectangulaire (10-1), d'une deuxième région magnéto-sensible (10-2) croisant perpendiculairement la première région magnéto-sensible, et d'une troisième région magnéto-sensible (10-3) à une sixième région magnéto-sensible (10-6) formées près d'une région d'intersection (10-0), qui est une région au niveau de laquelle la première région magnéto-sensible et la deuxième région magnéto-sensible se croisent.
(JA) 本発明は、S/N比の優れたホール素子に関する。基板(100)と、基板上に配置される第1の電極(22a)及び第2の電極(23a)と、基板上で、かつ、第1の電極と対向する位置に配置される第3の電極(22b)と、基板上で、かつ、第2の電極と対向する位置に配置される第4の電極(23b)と、第1から第4の電極に接続する感磁部(10)とを備える。感磁部(10)は、矩形状である第1の感磁領域(10-1)と、第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域(10-2)と、第1の感磁領域と第2の感磁領域の交差する領域である交差領域(10-0)の近傍に形成された第3の感磁領域(10-3)から第6の感磁領域(10-6)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)