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1. (WO2016063501) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/063501 International Application No.: PCT/JP2015/005210
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 15.10.2015
IPC:
H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.[JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventors: GOTO, Koji; null
YASUDA, Masaharu; null
MURAI, Akihiko; null
MINO, Takuya; null
Agent: NISHIKAWA, Yoshikiyo; JP
Priority Data:
2014-21573822.10.2014JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
(JA) 半導体デバイス及び紫外線発光素子
Abstract: front page image
(EN)  The objective of the present invention is to improve the moisture resistance of a semiconductor device. An electrode (90) of a semiconductor device (100) is provided with a contact electrode (91), and a pad electrode (92) formed on the obverse side of the contact electrode (91). An insulating film (10) is present on the obverse (31a) of an AlGaN layer (31) so as to surround the region of the contact electrode (91) where contact is made with the AlGaN layer (31). A passivation film (11) is formed at least on the pad electrode (92), said film (11) having an open section (13) where the central section of the pad electrode (92) is exposed. In the electrode (90), the pad electrode (92) is formed spanning the contact electrode (91) and the insulating film (10), and an Al layer (93) is provided below the pad electrode (92), said Al layer (93) including the opening (13) in plan view.
(FR)  La présente invention a pour objectif d'améliorer la résistance à l'humidité d'un dispositif semiconducteur. Une électrode (90) d'un dispositif semiconducteur (100) est pourvue d'une électrode de contact (91) et d'une électrode de pastille (92) formée sur le côté recto de l'électrode de contact (91). Un film isolant (10) est présent sur le recto (31a) d'une couche d'AlGaN (31) de manière à entourer la région de l'électrode de contact (91) où un contact est établi avec la couche d'AlGaN (31). Un film de passivation (11) est formé au moins sur l'électrode de pastille (92), ledit film (11) possédant une section ouverte (13) où est exposée la section centrale de l'électrode de pastille (92). Dans l'électrode (90), l'électrode de pastille (92) est formée de manière à s'étendre sur l'électrode de contact (91) et le film isolant (10), et une couche d'Al (93) se trouve au-dessous de l'électrode de pastille (92), ladite couche d'Al (93) comprenant l'ouverture (13) dans une vue en plan.
(JA)  本発明の課題は、半導体デバイスの耐湿性の向上を図ることである。半導体デバイス(100)の電極(90)は、コンタクト電極(91)と、コンタクト電極(91)の表面側に形成されたパッド電極(92)と、を備える。絶縁膜(10)は、コンタクト電極(91)におけるAlGaN層(31)との接触領域を囲むようにAlGaN層(31)の表面(31a)上にある。パッシベーション膜(11)は、少なくともパッド電極(92)上に形成され、かつ、パッド電極(92)の中央部を露出させる開口部(13)が形成されている。電極(90)は、パッド電極(92)がコンタクト電極(91)と絶縁膜(10)とに跨って形成されており、パッド電極(92)よりも下に、平面視で開口部(13)を包含するAl層(93)を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)