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Pub. No.:    WO/2016/063169    International Application No.:    PCT/IB2015/057781
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 12.10.2015
H05B 33/26 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 243-0036 (JP)
Inventors: UESAKA, Shogo; (JP).
SASAKI, Toshiki; .
OHSAWA, Nobuharu;
Priority Data:
2014-215984 23.10.2014 JP
Abstract: front page image
(EN)An electrode layer having high reflectance and a light-emitting element having high emission efficiency are provided. The light-emitting element includes a first electrode layer, a second electrode layer, and an EL layer between the first electrode layer and the second electrode layer. The first electrode layer includes a conductive layer and an oxide layer in contact with the conductive layer. The conductive layer has a function of reflecting light. The oxide layer includes In and M (M represents Al, Si, Ti, Ga, Y, Zr, Sn, La, Ce, Nd, or Hf). A content of the M in the oxide layer is higher than or equal to a content of the In.
(FR)L'invention concerne une couche d'électrode présentant une réflectance élevée et un élément luminescent présentant une efficacité d'émission élevée. L'élément luminescent comprend une première couche d'électrode, une seconde couche d'électrode, ainsi qu'une couche EL située entre la première couche d'électrode et la seconde couche d'électrode. La première couche d'électrode comprend une couche conductrice et une couche d'oxyde en contact avec la couche conductrice. La couche conductrice a une fonction de réflexion de la lumière. La couche d'oxyde comprend In et M (M représente Al, Si, Ti, Ga, Y, Zr, Sn, La, Ce, Nd, ou Hf) Une teneur en M dans la couche d'oxyde est supérieure ou égale à une teneur en In.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)