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1. (WO2016062715) TRANSISTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/062715 International Application No.: PCT/EP2015/074264
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 20.10.2015
IPC:
H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: CAMBRIDGE ENTERPRISE LIMITED[GB/GB]; The Old Schools Trinity Lane Cambridge CB2 1TN, GB
Inventors: SIRRINGHAUS, Henning; GB
BANGER, Kal; GB
PECUNIA, Vincenzo; IT
Agent: MARC NIGEL EVANS; Page White & Farrer Bedford House John Street London Greater London WC1N 2BF, GB
Priority Data:
1418610.020.10.2014GB
Title (EN) TRANSISTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS TRANSISTOR
Abstract: front page image
(EN) A transistor device comprising an inorganic oxide semiconductor channel having a channel length L and a channel width W between source and drain conductors and capacitively coupled to a gate conductor via an organic polymer dielectric in contact with the inorganic oxide semiconductor channel, wherein the gate voltage required to maintain a constant current of at least X nA between the source and drain conductors over a period of 14 hours while the gate and drain conductors are maintained at the same electric potential, varies by less than 1V, preferably less than about 0,2V; wherein X equals the W/L ratio multiplied by 50.
(FR) La présente invention concerne un dispositif transistor qui comprend un canal à semi-conducteur à oxyde inorganique qui possède une longueur de canal L et une largeur de canal W entre des conducteurs de source et de drain et qui est couplé de manière capacitive à un conducteur de grille par l'intermédiaire d'un diélectrique polymère organique en contact avec le canal à semi-conducteur à oxyde inorganique, la tension de grille requise pour maintenir un courant constant d'au moins X nA entre les conducteurs de source et de drain durant une période de 14 heures alors que les conducteurs de grille et de drain sont maintenus au même potentiel électrique variant de moins de 1 V, de préférence de moins d'environ 0,2 V, X étant égal au rapport W/L multiplié par 50.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)