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1. (WO2016062613) METHOD FOR MANUFACTURING A RESISTIVE DEVICE FOR A MEMORY OR LOGIC CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/062613 International Application No.: PCT/EP2015/073897
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 15.10.2015
Chapter 2 Demand Filed: 18.03.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D F-75015 Paris, FR
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS[FR/FR]; 3 rue Michel Ange F-75016 Paris, FR
UNIVERSITE GRENOBLE ALPES; 624 Avenue Centrale Domaine Universitaire de Saint Martin d'Hères BP 53 F-38041 Grenoble Cedex 9, FR
Inventors: DIENY, Bernard; FR
DARNON, Maxime; FR
NAVARRO, Gabriele; FR
JOUBERT, Olivier; FR
Agent: LEBKIRI, Alexandre; FR
Priority Data:
146007320.10.2014FR
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A RESISTIVE DEVICE FOR A MEMORY OR LOGIC CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF RÉSISTIF POUR CIRCUIT MÉMOIRE OU LOGIQUE
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a method for manufacturing a resistive device, comprising the following steps: depositing a first electrically conductive layer on a substrate; forming an engraving mask on the first conductive layer; engraving the first conductive layer through the mask, such as to obtain a plurality of electrically conductive pillars (110) separated from one another; and forming storage elements with variable electrical resistance at the tops of the conductive pillars (110), such that each storage element is supported by one of the conductive pillars, the step of forming the storage elements comprising the following operations: depositing a first layer (121) by non-collimated cathode sputtering at normal incidence relative to the substrate; and depositing a second layer on the first layer by cathode sputtering, the second layer comprising a first pulverised chemical species at oblique incidence.
(FR) L'invention est relative à un procédé de fabrication d'un dispositif résistif, comprenant les étapes suivantes : - déposer une première couche électriquement conductrice sur un substrat; - former un masque de gravure sur la première couche conductrice; - graver au travers du masque la première couche conductrice, de sorte à obtenir une pluralité de piliers électriquement conducteurs (110) espacés les uns des autres; et - former des éléments de stockage de résistance électrique variable aux sommets des piliers conducteurs (110), de sorte que chaque élément de stockage est supporté par l'un des piliers conducteurs, l'étape de formation des éléments de stockage comprenant les opérations suivantes : ○ déposer une première couche (121) par pulvérisation cathodique non-collimatée sous une incidence normale par rapport au substrat; et ○ déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche sur la première couche, la deuxième couche comprenant une première espèce chimique pulvérisée sous une incidence oblique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)