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1. (WO2016062466) MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/062466    International Application No.:    PCT/EP2015/071433
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 18.09.2015
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE)
Inventors: BITTNER, Boris; (DE).
WABRA, Norbert; (DE).
SCHNEIDER, Sonja; (DE).
SCHOEMER, Ricarda; (DE).
SCHMIDT, Holger; (DE)
Agent: WITTE, WELLER & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Postfach 10 54 62 70047 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2014 221 504.8 23.10.2014 DE
Title (DE) PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE
(EN) MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
(FR) SYSTÈME D'EXPOSITION PAR PROJECTION POUR LA MICROLITHOGRAPHIE
Abstract: front page image
(DE)Eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie weist ein Projektionsobjektiv (18) zur optischen Abbildung eines in einer Objektebene (16) angeordneten Musters in eine Bildebene (36) mittels elektromagnetischer Strahlung mit einer Arbeitswellenlänge λ < 260 nm, wobei das Projektionsobjektiv (18) eine optische Anordnung (20) aufweist, die eine Mehrzahl an optischen Elementen (22, 24) aufweist, die zwischen der Objektebene (16) und der Bildebene (36) angeordnet sind, ein Beleuchtungssystem (14) zur Beleuchtung des Musters in der Objektebene (16), wobei das Beleuchtungssystem (14) in der Objektebene (16) ein Beleuchtungsfeld (44) erzeugt, das in einer ersten Dimension (y) eine erste Abmessung (D1) und in einer zur ersten Dimension (y) senkrechten zweiten Dimension (x) eine zweite Abmessung (D2) aufweist, wobei die erste Abmessung (D1) um einen Faktor von zumindest 1,5 kleiner ist als die zweite Abmessung (D2), und einen Manipulator (60') zur Beeinflussung einer Wellenfront der elektromagnetischen Strahlung auf, wobei der Manipulator (60') zumindest ein optisches Manipulatorelement (62) mit einer ersten optischen Fläche (64) aufweist, die nahe einer Feldebene des Projektionsobjektivs (18) angeordnet ist. Die erste optische Fläche (64) des Manipulatorelements (62) weist zumindest einen Abschnitt aufweist, der ein Korrekturprofil in Form einer Asphärisierung zur Beeinflussung der Wellenfront aufweist, das in Richtung der ersten Dimension (y) bei gleichbleibender Profilform eine veränderliche mittlere Profilamplitude aufweist, und/oder die erste optische Fläche (64) weist in Richtung der ersten Dimension (y) einen ersten und zumindest einen zweiten Abschnitt aufweist, die jeweils ein Korrekturprofil in Form einer Asphärisierung zur Beeinflussung der Wellenfront aufweisen, wobei sich das Korrekturprofil des zumindest einen zweiten Abschnitts von dem Korrekturprofil des ersten Abschnitts hinsichtlich Profilform und/oder der mittleren Profilamplitude unterscheidet.
(EN)A microlithographic projection exposure apparatus comprises a projection lens (18) for optical imaging of a pattern arranged in an object plane (16) into an image plane (36) by means of electromagnetic radiation with a work wavelength λ < 260 nm, wherein the projection lens (18) has an optical arrangement (20) having a plurality of optical elements (22, 24), which are arranged between the object plane (16) and the image plane (36), an illumination system (14) for illuminating the pattern in the object plane (16), wherein the illumination system (14) generates an illumination field (44) in the object plane (16), which illumination field has a first size (D1) along a first dimension (y) and a second size (D2) along a second dimension (x) perpendicular to the first dimension (y), wherein the first size (D1) is smaller than the second size (D2) by a factor of at least 1.5, and a manipulator (60') for influencing a wavefront of the electromagnetic radiation, wherein the manipulator (60') has at least one optical manipulator element (62) with a first optical surface (64) which is arranged in the vicinity of a field plane of the projection lens (18). The first optical surface (64) of the manipulator element (62) has at least one portion which has a correction profile in the form of an aspherization for influencing the wavefront, which correction profile has a changing mean profile amplitude in the direction of the first dimension (y) with an unchanging profile form, and/or the first optical surface (64) has a first and at least one second portion in the direction of the first dimension (y), which portions each have a correction profile in the form of an aspherization for influencing the wavefront, wherein the correction profile of the at least one second portion differs from the correction profile of the first portion in respect of the profile form and/or the mean profile amplitude.
(FR)L'invention concerne une système d'exposition par projection pour la microlithographie, comprenant un objectif de projection (18) servant à reproduire optiquement dans un plan image (36) un modèle agencé dans un plan objet (16), par rayonnement électromagnétique à une longueur d'onde de travail λ < 260 nm. L'objectif de projection (18) comporte un ensemble optique (20), qui comporte une pluralité d'éléments optiques (22, 24) agencés entre le plan d'objet (16) et le plan image (36), et un système d'éclairage (14) servant à éclairer le modèle dans le plan objet (16). Le système d'éclairage (14) produit dans le plan objet (16) un champ d'éclairage (44), qui présente une première grandeur (D1) dans une première dimension (y) et une deuxième grandeur (D2) dans une deuxième dimension (y) perpendiculaire à la première dimension (y), la première grandeur (D1) étant au moins 1,5 fois plus petite que la deuxième grandeur (D2). Un manipulateur (60') permet d'agir sur un front d'onde du rayonnement électromagnétique, le manipulateur (60') comportant au moins un élément optique (62) de manipulateur pourvu d'une première surface optique (64) agencée à proximité d'un plan de champ de l'objectif de projection (18). La première surface optique (64) de l'élément (62) de manipulateur comporte au moins une section qui présente un profil de correction sous la forme d'une asphérisation permettant d'agir sur le front d'onde. Le profil de correction présente en direction de la première dimension (y) une amplitude de profil moyenne variable pour une forme de profil constante; et/ou la première surface optique (64) comporte en direction de la première dimension (y) une première et au moins une deuxième section, qui présentent respectivement un profil de correction sous la forme d'une asphérisation permettant d'agir sur le front d'onde, le profil de correction de la ou des deuxièmes sections étant différent du profil de correction de la première section en termes de forme de profil et/ou d'amplitude de profil moyenne.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)