WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016062465) MICROELECTRONIC COMPONENT ASSEMBLY COMPRISING A PLURALITY OF SUBSTRATES, AND CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/062465    International Application No.:    PCT/EP2015/071431
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 18.09.2015
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: NEUL, Reinhard; (DE).
OHMS, Torsten; (DE).
HEUCK, Friedjof; (DE).
ANTE, Frederik; (DE).
SCHELLING, Christoph; (DE).
HATTASS, Mirko; (DE)
Priority Data:
10 2014 221 546.3 23.10.2014 DE
Title (DE) MIKROELEKTRONISCHE BAUELEMENTANORDNUNG MIT EINER MEHRZAHL VON SUBSTRATEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) MICROELECTRONIC COMPONENT ASSEMBLY COMPRISING A PLURALITY OF SUBSTRATES, AND CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION
(FR) ENSEMBLE COMPOSANT MICROÉLECTRONIQUE DOTÉ D'UNE PLURALITÉ DE SUBSTRATS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung schafft eine mikroelektronische Bauelementanordnung mit einer Mehrzahl von Substraten und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikroelektronische Bauelementanordnung mit einer Mehrzahl von Substraten umfasst ein erstes Substrat (C1), welches als Schaltungssubstrat mit einem ersten Integrationsgrad ausgebildet ist, ein zweites Substrat (C2), welches als Schaltungssubstrat mit einem zweiten Integrationsgrad ausgebildet ist und ein drittes Substrat (C3), welches als MEMS-Sensorsubstrat ausgebildet ist und auf das zweite Substrat (C2) gebondet ist. Zweites und drittes Substrat sind auf das erste Substrat (C1) gebondet. Der erste Integrationsgrad ist wesentlich größer als der zweite Integrationsgrad.
(EN)The invention relates to a microelectronic component assembly comprising a plurality of substrates, and a corresponding method of production. Said microelectronic component assembly comprising a plurality of substrates has a first substrate (C1), which is designed as a circuit substrate of a first level of integration, a second substrate (C2), which is designed as a circuit substrate of a second level of integration, and a third substrate (C3), which is designed as a MEMS sensor substrate and which is bonded onto the second substrate (C2). The second and the third substrate is bonded onto the first substrate (C1). The first level of integration is substantially higher than the second level of integration.
(FR)L'invention concerne un ensemble composant microélectronique doté d'une pluralité de substrats ainsi qu'un procédé de fabrication correspondant. L'ensemble composant microélectronique doté d'une pluralité de substrats comprend un premier substrat (C1) qui est conçu comme substrat de circuit avec un premier degré d'intégration, un deuxième substrat (C2) qui est conçu comme substrat de circuit avec un deuxième degré d'intégration et un troisième substrat (C3), qui est conçu comme substrat de capteur MEMS et est connecté par métallisation sur le deuxième substrat (C2). Le deuxième et le troisième élément substrat sont connectés par métallisation sur le premier substrat (C1). Le premier degré d'intégration est sensiblement supérieur au deuxième degré d'intégration.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)