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1. (WO2016062420) PROCESS CHAMBER ASSEMBLY AND METHOD FOR IRRADIATING A SUBSTRATE IN A PROCESS CHAMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/062420    International Application No.:    PCT/EP2015/067405
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 29.07.2015
IPC:
H01L 21/677 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
Applicants: VON ARDENNE GMBH [DE/DE]; Plattleite 19/29 01324 Dresden (DE)
Inventors: HAASEMANN, Georg; (DE).
KHVOSTIKOVA, Olga; (DE)
Agent: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Patent und Rechtsanwälte Am Brauhaus 8 01099 Dresden (DE)
Priority Data:
14003620.3 24.10.2014 EP
Title (DE) PROZESSKAMMERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM BESTRAHLEN EINES SUBSTRATS IN EINER PROZESSKAMMER
(EN) PROCESS CHAMBER ASSEMBLY AND METHOD FOR IRRADIATING A SUBSTRATE IN A PROCESS CHAMBER
(FR) DISPOSITIF DE CHAMBRE DE TRAITEMENT ET PROCÉDÉ D’IRRADIATION D’UN SUBSTRAT DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT
Abstract: front page image
(DE)Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Transportieren eines Substrats entlang einer Transportrichtung in einem Bestrahlungsbereich einer Prozesskammer, wobei der Bestrahlungsbereich mittels einer Blendenstruktur auf eine Bestrahlungsbereichslänge, L, in Transportrichtung begrenzt ist; wobei die Bestrahlungsbereichslänge kleiner ist als eine Substratlänge des Substrats in Transportrichtung; und ein erstes Bestrahlen des Substrats in dem Bestrahlungsbereich und danach ein zweites Bestrahlen des Substrats in dem Bestrahlungsbereich, während das Substrat mit einer Transportgeschwindigkeit, V, transportiert wird, wobei der zeitliche Abstand des ersten Bestrahlens und des zweiten Bestrahlens größer als L/2V ist, so dass mindestens ein erster Bereich des Substrats genau einmal bestrahlt wird, und wobei der zeitliche Abstand des ersten Bestrahlens und des zweiten Bestrahlens kleiner als L/V ist, so dass mindestens ein zweiter Bereich des Substrats genau zweimal bestrahlt wird.
(EN)According to different embodiments of the invention, a method can comprise the following steps: transporting a substrate along a transport direction in an irradiation region of a process chamber, wherein the irradiation region is delimited by a screen structure on an irradiation region length L in the transport direction, wherein the irradiation region length is smaller than a substrate length of the substrate in the transport direction; and a first irradiation of the substrate in the irradiation region, and a subsequent second irradiation of the substrate in the irradiation region, while the substrate is transported at a transport speed V, wherein the time interval of the first irradiation and the second irradiation is greater than L/2V, such that at least one first region of the substrate is irradiated exactly once, and wherein the time interval of the first irradiation and the second irradiation is smaller than L/V, such that at least one second region of the substrate is irradiated exactly twice.
(FR)L'invention concerne un dispositif de chambre de traitement et un procédé d’irradiation d’un substrat dans une chambre de traitement. Selon différents modes de réalisation, un procédé peut consister à : transporter un substrat le long d’une direction de transport dans une zone d’irradiation d’une chambre de traitement, la zone d’irradiation étant délimitée au moyen d’une structure écran sur une longueur, L, de la zone d’irradiation dans la direction du transport et la longueur de la zone d’irradiation étant plus petite qu’une longueur du substrat dans la direction du transport ; et effectuer une première irradiation du substrat dans la zone d’irradiation et ensuite une deuxième irradiation du substrat dans la zone d’irradiation pendant que le substrat est transporté à une vitesse de transport, V. L’espacement temporel entre la première irradiation et la deuxième irradiation est supérieur à L/2V de sorte qu’au moins une première zone du substrat est précisément irradiée une fois et l’espacement temporel entre la première irradiation et la deuxième irradiation est inférieur à L/V de sorte qu’au moins une deuxième zone du substrat est précisément irradiée deux fois.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)