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1. (WO2016061995) PREPARATION METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/061995    International Application No.:    PCT/CN2015/074684
Publication Date: 28.04.2016 International Filing Date: 20.03.2015
IPC:
H01L 27/02 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN).
HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 2177, Tonglingbei Rd., New Railway Station District, Hefei, Anhui 230012 (CN)
Inventors: SHEN, Qiyu; (CN)
Agent: TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201410567591.0 22.10.2014 CN
Title (EN) PREPARATION METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SUBSTRAT MATRICIEL, SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
Abstract: front page image
(EN)A preparation method for an array substrate, an array substrate and a display device. The preparation method comprises: forming a thin-film transistor and a signal line on a glass substrate, and correspondingly forming an organic insulation layer above the thin-film transistor and the signal line; and forming a passivation insulation layer above the organic insulation layer, wherein before forming the passivation insulation layer, the method also comprises conducting preheating processing on the glass substrate on which the organic insulation layer is formed. By means of the preparation method, by conducting preheating processing on a glass substrate on which an organic insulation layer is formed, and omitting nitrogen plasma processing and nitrogen flow processing conducted on the glass substrate on which the organic insulation layer is formed as compared with the prior art, interface state characteristics of the glass substrate on which the organic insulation layer is formed are enhanced, so that the adhesion between a passivation insulation layer and the glass substrate on which the organic insulation layer is formed is enhanced, and then the passivation insulation layer formed above the organic insulation layer can be prevented from falling off, thereby guaranteeing the quality of an array substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de substrat matriciel, un substrat matriciel et un dispositif d'affichage. Le procédé de préparation consiste : à former un transistor à couches minces et une ligne de signal sur un substrat en verre, et former de façon correspondante une couche isolante organique au-dessus du transistor à couches minces et de la ligne de signal ; et à former une couche isolante de passivation au-dessus de la couche isolante organique, le procédé consistant également, avant la formation de la couche isolante de passivation, à effectuer un traitement de préchauffage sur le substrat en verre sur lequel la couche isolante organique est formée. Au moyen du procédé de préparation, par réalisation d'un traitement de préchauffage sur un substrat en verre sur lequel une couche isolante organique est formée, et omission d'un traitement par plasma d'azote et d'un traitement par flux d'azote effectués sur le substrat en verre sur lequel la couche isolante organique est formée par comparaison avec l'état de la technique, des caractéristiques d'état d'interface du substrat en verre sur lequel la couche isolante organique est formée sont améliorées, si bien que l'adhérence entre une couche isolante de passivation et le substrat en verre sur lequel la couche isolante organique est formée est améliorée, et ensuite la couche isolante de passivation formée au-dessus de la couche isolante organique peut être empêchée de tomber, ce qui permet de garantir la qualité d'un substrat matriciel.
(ZH)一种阵列基板的制备方法、一种阵列基板和一种显示装置。该制备方法包括:在玻璃基板上形成薄膜晶体管和信号线;并在薄膜晶体管和信号线的上方对应地形成有机绝缘层;在有机绝缘层上方形成钝化绝缘层,在形成钝化绝缘层之前,还包括对形成有有机绝缘层的玻璃基板进行预加热处理。该制备方法通过对形成有有机绝缘层的玻璃基板进行预加热处理,且相比于现有技术,去除了对形成有有机绝缘层的玻璃基板的氮气等离子体处理和氮气流处理,使形成有有机绝缘层的玻璃基板的界面态特性增强,从而使钝化绝缘层与形成有机绝缘层的玻璃基板之间的粘附性增强,进而能够防止形成在有机绝缘层上方的钝化绝缘层发生脱落,保证了阵列基板的品质。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)