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1. (WO2016061332) BACK-LIT PHOTODETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/061332    International Application No.:    PCT/US2015/055710
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 15.10.2015
IPC:
F21V 7/22 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), G02B 1/10 (2015.01), G02B 27/64 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01)
Applicants: ZENA TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; P.O. Box 380288 Cambridge, Massachusetts 02238-0288 (US)
Inventors: WOBER, Munib; (US)
Agent: GU, Qian; (US)
Priority Data:
14/516,402 16.10.2014 US
Title (EN) BACK-LIT PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR RÉTROÉCLAIRÉ
Abstract: front page image
(EN)Described herein are devices operable to detect various portions of radiation incident on a receiving area of the device, systems incorporating the same, methods of using and methods of manufacturing thereof. Such a device comprises a substrate; at least one first feature; and at least one second feature, both extending substantially perpendicularly from the substrate. The at least one first feature and the at least second feature are operable to selectively absorb various portions of the radiation defined by their respective ranges of wavelengths. The at least one first feature and the at least one second feature are positioned on the substrate such that at least 50% of the first portion and at least 50% of the second portion of the radiation incident on the receiving area is selectively absorbed by the at least one first feature and the at least one second feature, respectively.
(FR)Cette invention concerne des dispositifs fonctionnant de sorte à détecter diverses parties du rayonnement incident sur une zone de réception du dispositif, des systèmes les intégrant, leurs procédés d'utilisation et leurs procédés de fabrication. Un dispositif selon l'invention comprend un substrat, au moins une première caractéristique, et au moins une seconde caractéristique, les deux caractéristiques s'étendant dans un sens sensiblement perpendiculaire à partir du substrat. Ladite/lesdites première(s) caractéristique(s) et ladite/lesdites seconde(s) caractéristique(s) sont conçues pour absorber sélectivement diverses parties du rayonnement définies par leurs plages de longueur d'onde respectives. Ladite/lesdites première(s) caractéristique(s) et ladite/lesdites seconde(s) caractéristique(s) sont positionnées sur le substrat de telle sorte qu'au moins 50 % de la première partie et au moins 50 % de la seconde partie du rayonnement incident sur la zone de réception est sélectivement absorbée par ladite/lesdites première(s) caractéristique(s) et ladite/lesdites seconde(s) caractéristique(s), respectivement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)