WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016060787) THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING SELF-ALIGNED DRAIN REGIONS AND METHODS OF MAKING THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/060787    International Application No.:    PCT/US2015/051175
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 21.09.2015
IPC:
H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: PANG, Liang; (US).
PACHAMUTHU, Jayavel; (US).
DONG, Yingda; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; (US)
Priority Data:
14/514,925 15.10.2014 US
Title (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING SELF-ALIGNED DRAIN REGIONS AND METHODS OF MAKING THEREOF
(FR) STRUCTURE DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE COMPRENANT DES ZONES DE DRAIN AUTO-ALIGNÉES, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIÉS
Abstract: front page image
(EN)A memory stack structure can be formed through a stack of an alternating plurality of first material layers (32) and second material layers and through an overlying temporary material layer having a different composition than the first and second material layers. The memory stack structure can include a memory film (50) and a semiconductor channel layer (60). The overlying temporary material layer is removed selective to the stack to form a lateral recess. Portions of the memory film are removed around the lateral recess, and dopants are laterally introduced into an upper portion of the semiconductor channel to form a self-aligned drain region (63).
(FR)Une structure de pile de mémoire peut être formée au moyen d'une pile formée d'une pluralité alternée de couches (32) de premier matériau et de couches de second matériau et au moyen d'une couche de matériau temporaire de recouvrement ayant une composition différente de celle des couches de premier et second matériau. La structure de pile de mémoire peut comprendre un film de mémoire (50) et une couche de canal à semi-conducteur (60). La couche de matériau temporaire de recouvrement est retirée de façon sélective de la pile pour former un évidement latéral. Des parties du film de mémoire sont enlevées autour de l'évidement latéral, et des dopants sont introduits latéralement dans une partie supérieure du canal à semi-conducteur pour former une zone de drain auto-alignée (63).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)