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1. (WO2016060556) SWITCHED CAPACITOR BIASING CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/060556 International Application No.: PCT/NL2014/050709
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 13.10.2014
IPC:
G05F 3/24 (2006.01)
Applicants: GREENPEAK TECHNOLOGIES B.V.[NL/NL]; Leidseveer 10 NL-3511 SB Utrecht, NL
Inventors: ATES, Erdogan Ozgur; NL
Agent: NEDERLANDSCH OCTROOIBUREAU; Anna van Buerenplein 21 A 2595 DA The Hague, NL
Priority Data:
Title (EN) SWITCHED CAPACITOR BIASING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE POLARISATION À CAPACITÉS COMMUTÉES
Abstract: front page image
(EN) Bias circuit and a bias generator circuit comprising such a bias circuit. The bias circuit (10, 11) comprises a switched capacitor resistor circuitry (C1, C2, M12-M17),and an operational amplifier (M1-M4, M10) with an input differential transistor pair (M1, M2). The bias circuit further comprises additional source follower transistors (M5, M6) associated with the first and second input differential transistors (M1, M2).The bias generator circuit has a PMOS switched capacitor reference circuit (11) and a NMOS switched capacitor reference circuit (10) and a transconductor reference cell (15). The transconductor reference cell (15) is a replica of a basic reference cell used in a further circuit.
(FR) Cette invention concerne un circuit de polarisation et un circuit générateur de courant de polarisation comprenant un tel circuit de polarisation. Le circuit de polarisation (10, 11) comprend un circuit de résistance à capacités commutées (C1, C2, M12-M17), et un amplificateur opérationnel (M1-M4, M10) avec une paire de transistors différentiels d'entrée (M1, M2). Le circuit de polarisation comprend en outre des transistors supplémentaires en drain commun (M5, M6) associés aux premier et second transistors différentiels d'entrée (M1, M2). Le circuit générateur de courant de polarisation comprend un circuit de référence à capacités commutées PMOS (11) et un circuit de référence à capacités commutées NMOS (10) ainsi qu'une cellule de référence à transconductance (15). La cellule de référence à transconductance (15) est une réplique d'une cellule de référence de base utilisée dans un autre circuit.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)