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1. (WO2016060541) OVERVOLTAGE PROTECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/060541    International Application No.:    PCT/MY2015/000003
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 12.01.2015
Chapter 2 Demand Filed:    13.05.2016    
IPC:
H02H 9/00 (2006.01), G05F 1/46 (2006.01), H02H 9/02 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01)
Applicants: O.Y.L. TECHNOLOGY SDN BHD [MY/MY]; Lot 3, Jalan Asam Jawa 16/15 Seksyen 16, 40000 Shah Alam Selangor (MY)
Inventors: TAN, Ching Hau; (MY)
Agent: SIAW, Yean Hwa, Timothy; c/o Sheam Delamore & Co. 7th Floor, Wisma Hamzah-Kwong Hing No.1, Leboh Ampang 50100 Kuala Lumpur (MY)
Priority Data:
PI 2014703047 15.10.2014 MY
Title (EN) OVERVOLTAGE PROTECTION
(FR) PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an overvoltage protection circuitry for a switching mode power supply (SMPS) DC BUS of an electrical appliance which comprises a field-effect transistor (Q01) to function as a switch for controlling electric current and regulating voltage from a power input supply, a zener diode (TVS1), a resistor (R02) for resisting current into the transistor that will gradually turn on the transistor when a sudden input voltage is higher than a threshold voltage of the zener diode, wherein the transistor will conduct current across the drain to the source of the transistor. An electrolytic capacitor (E01) is added across the transistor's gate and source to form a gate charging circuit to allow the switching mode power supply DC Bus to be slowly charged up.
(FR)La présente invention concerne un circuit de protection contre les surtensions pour un bus de courant continu (CC) d'alimentation à découpage (SMPS) d'un appareil électrique, qui comprend un transistor à effet de champ (FET) (Q01) destiné à faire fonction d'interrupteur pour commander un courant électrique et réguler une tension d'une alimentation d'entrée, une diode Zener (TVS1), et une résistance (R02) pour résister au courant dans le transistor qui fera progressivement passer le transistor à l'état passant lorsqu'une tension d'entrée soudaine est supérieure à une tension de seuil de la diode Zener ; le transistor conduira alors un courant du drain à la source du transistor. Un condensateur électrolytique (E01) est ajouté aux bornes de la grille et de la source du transistor pour former un circuit de charge de grille afin de permettre au bus CC d'alimentation à découpage d'être lentement chargé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)