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1. (WO2016059923) NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/059923 International Application No.: PCT/JP2015/076027
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 14.09.2015
IPC:
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
Inventors: OGAWA, Atsushi; null
TOHSAKI, Manabu; null
FUJISHIGE, Yohsuke; null
OKAZAKI, Mai; null
TAJIRI, Masayuki; null
ITO, Nobuyuki; null
Agent: SAMEJIMA, Mutsumi; JP
Priority Data:
2014-21005314.10.2014JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
(JA) 窒化物半導体およびそれを用いた電子デバイス
Abstract: front page image
(EN) Provided is a nitride semiconductor which is capable of suppressing warping and defects. This nitride semiconductor is provided with: an Si substrate (1); and a nitride semiconductor multilayer structure which is formed on the Si substrate (1), and wherein buffer layers (6, 7) that are formed of nitride semiconductors, a channel layer (8) and an electron supply layer (9) are sequentially laminated in this order. The Si substrate (1) contains at least boron or germanium, and the Si substrate (1) has a specific resistance of 10.0 mΩ·cm or more but less than 21.5 mΩ·cm.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au nitrure qui peut supprimer le gauchissement et des défauts. Ce dispositif à semi-conducteur au nitrure est pourvu : d'un substrat Si (1) ; et d'une structure multicouche à semi-conducteur au nitrure qui est formée sur le substrat Si (1), et dans laquelle des couches tampons (6, 7) qui sont formées de semi-conducteurs au nitrure, une couche de canal (8) et une couche de fourniture d'électrons (9) sont séquentiellement stratifiées dans cet ordre. Le substrat Si (1) contient au moins du bore ou du germanium, et le substrat Si (1) possède une résistance spécifique supérieure ou égale à 10,0 mΩ·cm mais inférieure à 21,5 mΩ·cm.
(JA)  反りと欠陥とを抑制可能な窒化物半導体を提供する。窒化物半導体は、Si基板(1)と、上記Si基板(1)上に形成されると共に、窒化物半導体で成るバッファ層(6,7),チャネル層(8)および電子供給層(9)がこの順序で積層された窒化物半導体積層構造とを備え、上記Si基板(1) には、少なくともボロンまたはゲルマニウムが含有されており、上記Si基板(1)の比抵抗値は、10.0mΩ・cm以上且つ21.5mΩ・cm未満である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)