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1. (WO2016059871) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/059871    International Application No.:    PCT/JP2015/073388
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 20.08.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: HOSHI Yasuyuki; (JP).
HARADA Yuichi; (JP)
Agent: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Priority Data:
2014-210360 15.10.2014 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a silicon carbide semiconductor device wherein withstand voltage deterioration of a withstand voltage structure is eliminated, and a method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device. Disclosed is a silicon carbide semiconductor device wherein: p regions 31, 32 and a p region 33, which is an electric field relaxing region connected to a first p base region 10, are disposed under a step section 40; and the bottom surfaces of respective p regions 31, 32, 33 and the first p base region 10 are connected to each other substantially on a flat plane. The impurity concentration of the first base region is set equal to or higher than 4×1017cm-3, and the impurity concentration of the p region 33 is set to a value that is lower than the impurity concentration of the first base region 10 but higher than that of the p regions 31, 32, thereby eliminating withstand voltage deterioration of a withstand voltage structure 102.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, la détérioration de tension tenue d'une structure à tension de tenue y étant éliminée, et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, des régions p 31, 32 et une région p 33, qui est une région de diminution de champ électrique raccordée à une première région de base p, étant disposées sous une section étagée 40 ; et les surfaces de fond des régions p 31, 32, 33 respectives et la première région de base p étant reliées l'une à l'autre sensiblement sur un plan plat. La concentration en impuretés de la première région de base est réglée supérieure ou égale à 4x1017cm-3, et la concentration en impuretés de la région p 33 est réglée à une valeur qui est inférieure à la concentration en impuretés de la première région de base 10, mais supérieure à celle des régions p 31, 32, ce qui permet d'éliminer la détérioration d'une tension de tenue d'une structure de tension de tenue 102.
(JA) 耐圧構造部での耐圧低下を防止した炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。p領域31,32と第1pベース領域10に接続する電界緩和領域であるp領域33を段差部40下に配置し、p領域31,32,33と第1pベース領域10のそれぞれの底面を略平坦に接続する。第1ベース領域の不純物濃度は4×1017cm-3以上とし、p領域33の不純物濃度を第1ベース領域10より低く、且つp領域31,32よりも高い値に設定することで、耐圧構造部102での耐圧低下を防止できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)