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1. (WO2016059790) SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS USING SOLUTION GROWTH METHOD, AND CRUCIBLE TO BE USED IN SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS USING SOLUTION GROWTH METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/059790    International Application No.:    PCT/JP2015/005177
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 13.10.2015
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
Inventors: KAMEI, Kazuhito; (JP).
KISHIDA, Yutaka; (JP).
KUSUNOKI, Kazuhiko; (JP).
DAIKOKU, Hironori; (JP).
DOI, Masayoshi; (JP)
Agent: ASCEND IP LAW FIRM; 5-17, Dojima 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
Priority Data:
2014-213233 17.10.2014 JP
Title (EN) SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS USING SOLUTION GROWTH METHOD, AND CRUCIBLE TO BE USED IN SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS USING SOLUTION GROWTH METHOD
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SiC À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN SOLUTION, ET CREUSET À UTILISER DANS CET APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SiC À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN SOLUTION.
(JA) 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置、及びそれに用いられる坩堝
Abstract: front page image
(EN)Provided is a SiC single crystal manufacturing apparatus wherein a Si-C solution can be easily agitated and heated. The present invention is provided with: a crucible (5) capable of containing a Si-C solution (7); a seed shaft (6); and an induction heating apparatus (3). The crucible (5) is capable of containing the Si-C solution (7). The crucible (5) includes a cylindrical section (51) and a bottom section (52). The cylindrical section (51) includes an outer circumferential surface (51A) and an inner circumferential surface (51B). The bottom section (52) is disposed at an lower end of the cylindrical section (51). The bottom section (52) forms an inner bottom surface (52B) of the crucible (5). A seed crystal (8) can be attached to a lower end of the seed shaft (6). The induction heating apparatus (3) is disposed around the cylindrical section (51) of the crucible (5). The induction heating apparatus (3) heats the crucible (5) and the Si-C solution (7). The outer circumferential surface (51A) includes grooves (10) that extend by intersecting the circumferential direction of the cylindrical section (51).
(FR)L'invention concerne un appareil de fabrication de monocristaux de SiC dans lequel une solution de Si-C peut être facilement agitée et chauffée. La présente invention comprend : un creuset (5) capable de contenir une solution de Si-C (7); un arbre de tirage de germe (6); et un appareil de chauffage par induction (3). Le creuset (5) est capable de contenir la solution de Si-C (7). Le creuset (5) comprend une section cylindrique (51) et une section inférieure (52). La section cylindrique (51) comprend une surface circonférentielle extérieure (51A) et une surface circonférentielle intérieure (51B). La section inférieure (52) est disposé au niveau d'une extrémité inférieure de la section cylindrique (51). La section inférieure (52) forme une surface inférieure interne (52B) du creuset (5). Un germe cristallin (8) peut être attaché à une extrémité inférieure de l'arbre de tirage de germe (6). L'appareil de chauffage par induction (3) est disposé autour de la section cylindrique (51) du creuset (5). L'appareil de chauffage par induction (3) chauffe le creuset (5) et la solution de Si-C (7). La surface circonférentielle extérieure (51A) comporte des rainures (10) qui s'étendent en croisant la direction circonférentielle de la section cylindrique (51).
(JA) Si‐C溶液を撹拌及び加熱しやすいSiC単結晶の製造装置を提供する。Si-C溶液(7)を収容可能な坩堝(5)と、シードシャフト(6)と、誘導加熱装置(3)とを備える。坩堝(5)は、Si-C溶液(7)の収容が可能である。坩堝(5)は、筒部(51)と底部(52)とを含む。筒部(51)は外周面(51A)と内周面(51B)とを含む。底部(52)は、筒部(51)の下端に配置される。底部(52)は、坩堝(5)の内底面(52B)を形成する。シードシャフト(6)は、下端に種結晶(8)を取り付け可能である。誘導加熱装置(3)は、坩堝(5)の筒部(51)の周りに配置される。誘導加熱装置(3)は、坩堝(5)及びSi-C溶液(7)を加熱する。外周面(51A)は、筒部(51)の周方向と交差して延びる溝(10)を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)