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1. (WO2016059789) METHOD FOR FORMING FILM ON FLEXIBLE SUBSTRATE USING VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD
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Pub. No.: WO/2016/059789 International Application No.: PCT/JP2015/005176
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 13.10.2015
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/54 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
[IPC code unknown for C23C 14/34][IPC code unknown for C23C 14/56][IPC code unknown for C23C 16/455][IPC code unknown for C23C 16/54][IPC code unknown for H01L 21/316]
Applicants:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東1丁目5番1号 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
Inventors:
今 真人 KON, Masato; null
Agent:
特許業務法人 小笠原特許事務所 OGASAWARA PATENT OFFICE; 大阪府吹田市江坂町1丁目23番101号 大同生命江坂ビル13階 Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor, 1-23-101, Esakacho, Suita-shi, Osaka 5640063, JP
Priority Data:
2014-21029914.10.2014JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING FILM ON FLEXIBLE SUBSTRATE USING VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SUR UN SUBSTRAT FLEXIBLE À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) フレキシブル基板上への気相成長法による成膜方法
Abstract:
(EN) For the purpose of reducing the size of a device as a whole, and improving productivity by improving efficiency, a method for forming a film on a flexible substrate using a vapor phase deposition method is provided. A film-forming method of the present invention includes: a step wherein components contained in a starting material gas containing a metal or silicon are adsorbed on a flexible substrate by passing the flexible substrate through a first zone, to which the starting material gas has been introduced, said first zone being in a vacuum chamber; and a step wherein a film is formed by sputtering by passing the flexible substrate through a second zone in the vacuum chamber, said second zone being separated from the first zone, and being provided with a target material containing a metal or silicon.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film sur un substrat flexible à l'aide d'un procédé de dépôt en phase vapeur dans le but de réduire la taille d'un dispositif dans son ensemble et d'améliorer la productivité par l'amélioration du rendement. Le procédé de formation de film selon la présente invention comprend : une étape dans laquelle des constituants contenus dans une matière de départ gazeuse contenant un métal ou du silicium sont adsorbés sur un substrat flexible par passage du substrat flexible dans une première zone, dans laquelle la matière de départ gazeuse a été introduite, ladite première zone étant dans une chambre à vide ; et une étape dans laquelle un film est formé par pulvérisation cathodique par passage du substrat flexible dans une seconde zone dans la chambre à vide, ladite seconde zone étant séparée de la première zone et étant pourvue d'un matériau cible contenant un métal ou du silicium.
(JA)  装置全体を小型化可能とし、また効率を向上させて生産性を向上させるための、フレキシブル基板上への気相成長法による成膜方法を提供する。 成膜方法は、真空チャンバー内の、金属または珪素を含む原料ガスが導入された第1のゾーンを、フレキシブル基板に通過させ原料ガスに含まれる成分をフレキシブル基板に吸着させる工程と、真空チャンバー内の、第1のゾーンと隔てられた、金属または珪素を含むターゲット材を備えた第2のゾーンを、フレキシブル基板に通過させスパッタ成膜を行う工程とを含む。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)