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1. (WO2016059296) A BLANK SUITABLE FOR USE AS A BODY OF SUPERCAPACITOR, A SUPERCAPACITOR, AND A METHOD OF MANUFACTURING A POROUS SILICON VOLUME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/059296 International Application No.: PCT/FI2015/050692
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 14.10.2015
IPC:
H01G 11/08 (2013.01) ,H01G 11/26 (2013.01) ,H01G 11/74 (2013.01)
Applicants: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY[FI/FI]; Vuorimiehentie 3 FI-02150 Espoo, FI
Inventors: AHOPELTO, Jouni; FI
KESTUTIS, Grigoras; FI
GRÖNBERG, Leif; FI
PRUNNILA, Mika; FI
Agent: SEPPO LAINE OY; Itämerenkatu 3 B FI-00180 Helsinki, FI
Priority Data:
2014591417.10.2014FI
Title (EN) A BLANK SUITABLE FOR USE AS A BODY OF SUPERCAPACITOR, A SUPERCAPACITOR, AND A METHOD OF MANUFACTURING A POROUS SILICON VOLUME
(FR) ÉBAUCHE APPROPRIÉE POUR ÊTRE UTILISÉE COMME CORPS DE SUPERCONDENSATEUR, SUPERCONDENSATEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN VOLUME DE SILICIUM POREUX
Abstract: front page image
(EN) A blank (17, 17a, 17b) suitable for use as a body of a supercapacitor (25) comprises a first porous semiconductor volume (22) and a second porous semiconductor volume (21), the second porous semiconductor volume (21) laterally surrounded by the first porous semiconductor volume (22) and separated from it by a trench (10) that is suitable for receiving an electrolyte (24), whereby the first and second porous semiconductor volume (22, 21) comprise channels opening to the trench (10). A supercapacitor comprises a body formed by using the blank (17, 7a, 17b) according to any one of the preceding claims, so that the first porous semiconductor volume (22) acts as one electrode and the second porous semiconductor volume (21) acts as another electrode, with an electrolyte (24) in the trench (10).
(FR) L'invention concerne une ébauche (17, 17a, 17b) appropriée pour être utilisée comme corps d'un supercondensateur (25), comprenant un premier volume de semiconducteur poreux (22) et un deuxième volume de semiconducteur poreux (21), le deuxième volume de semiconducteur poreux (21) étant entouré latéralement par le premier volume de semiconducteur poreux (22) et séparé de celui-ci par une tranchée (10) qui est adaptée pour recevoir un électrolyte (24), les premier et deuxième volumes de semiconducteur poreux (22, 21) comprenant ainsi des canaux s'ouvrant vers la tranchée (10). L'invention concerne également un supercondensateur qui comprend un corps formé en utilisant l'ébauche (17, 17a, 17b) selon l'une quelconque des revendications précédentes, de sorte que le premier volume de semiconducteur poreux (22) agit comme une électrode et le deuxième volume de semiconducteur poreux (21) agit comme une autre électrode, avec un électrolyte (24) dans la tranchée (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)