WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016058224) METHOD FOR FABRICATION OF OLED DEVICE, AND OLED DEVICE RESULTING FROM SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/058224    International Application No.:    PCT/CN2014/089957
Publication Date: 21.04.2016 International Filing Date: 31.10.2014
IPC:
H01L 51/56 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: LIU, Yawei; (CN).
WANG, Yifan; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201410537688.7 13.10.2014 CN
Title (EN) METHOD FOR FABRICATION OF OLED DEVICE, AND OLED DEVICE RESULTING FROM SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF OLED, ET DISPOSITIF OLED OBTENU PAR LEDIT PROCÉDÉ
(ZH) OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method for fabrication of an OLED device, and an OLED device resulting from said method, the method for fabrication of the OLED device being: Step 1: a substrate (1) is provided, and an anode (21) and a hole transport layer (22) are successively formed on the substrate (1); Step 2: by means of a solution film formation method, a light-emitting layer (23) is fabricated on the hole transport layer (22); the light-emitting layer (23) comprises a red subpixel (231), a green subpixel (232), a blue subpixel (233), and a white subpixel (234); at least one of the subpixels is formed using a quantum dot, and at least one of the subpixels is formed using an organic light-emitting material; Step 3: an electron transport layer (24) and a cathode (25) are successively formed on the light-emitting layer (23); Step 4: a sealing cover panel (2) is provided, arranged above the cathode (25); by means of a sealant frame (3), the substrate (1) and the sealing cover panel (2) are bonded together, thereby sealing the OLED device. The subpixels in the light-emitting layer (23) are all formed by the solution film formation method, such that a fine mask is unnecessary during the process of fabricating the OLED device; therefore the cost of manufacture is low, the material utilization is high, and the yield is high.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à diodes électroluminescentes organiques (OLED), et un dispositif OLED obtenu par ce procédé, le procédé de fabrication du dispositif OLED comprenant les étapes suivantes : étape 1 : un substrat (1) est produit, et une anode (21) et une couche de transport de trous (22) sont formées successivement sur le substrat (1) ; étape 2 : au moyen d'un procédé de formation de film en solution, une couche électroluminescente (23) est fabriquée sur la couche de transport de trous (22) ; la couche électroluminescente (23) comprend un sous-pixel rouge (231), un sous-pixel vert (232), un sous-pixel bleu (233) et un sous-pixel blanc (234) ; au moins un des sous-pixels est formé à l'aide d'un point quantique, et au moins un des sous-pixels est formé à l'aide d'un matériau électroluminescent organique ; étape 3 : une couche de transport d'électrons (24) et une cathode (25) sont formées successivement sur la couche électroluminescente (23) ; étape 4 : un panneau de couvercle d'étanchéité (2) est produit, disposé au-dessus de la cathode (25) ; au moyen d'un cadre de produit d'étanchéité (3), le substrat (1) et le panneau de couvercle d'étanchéité (2) sont collés l'un à l'autre, ce qui permet d'étanchéifier le dispositif OLED. Les sous-pixels dans la couche électroluminescente (23) sont tous formés par le procédé de formation de film en solution, si bien qu'un masque détaillé n'est pas nécessaire pendant le processus de fabrication du dispositif OLED ; en conséquence, le coût de fabrication est faible, l'utilisation des matériaux est élevée, et le rendement est élevé.
(ZH)提供一种OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件,OLED器件的制备方法为:步骤1、提供一基板(1),并在基板(1)上依次形成阳极(21)与空穴传输层(22);步骤2、在空穴传输层(22)上通过溶液成膜法制作发光层(23),发光层(23)包括红色子像素(231)、绿色子像素(232)、蓝色子像素(233)与白色子像素(234),其中,至少一种子像素采用量子点制备,至少一种子像素采用有机发光材料制备;步骤3、在发光层(23)上依次形成电子传输层(24)与阴极(25);步骤4、提供一封装盖板(2),其设置于阴极(25)上方,将基板(1)与封装盖板(2)通过密封胶框(3)粘结起来,从而完成该OLED器件的封装。由于发光层(23)中的各种子像素均通过溶液成膜法制备,使得该OLED器件的制作过程中不需要使用精细掩膜板,因此制作成本低,材料利用率高,良品率高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)