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1. (WO2016057878) HIGH VOLTAGE ZERO QRR BOOTSTRAP SUPPLY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/057878 International Application No.: PCT/US2015/054851
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 09.10.2015
IPC:
H03K 17/687 (2006.01)
Applicants: EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION[US/US]; 909 N. Sepulveda Boulevard Suite 230 El Segundo, California 90245, US
Inventors: DE ROOIJ, Michael A.; US
STRYDOM, Johan T.; US
REUSCH, David C.; US
Agent: SOFFEN, Stephen A.; US
Priority Data:
62/062,44510.10.2014US
Title (EN) HIGH VOLTAGE ZERO QRR BOOTSTRAP SUPPLY
(FR) ALIMENTATION D'AMORÇAGE QRR ZÉRO À HAUTE TENSION
Abstract: front page image
(EN) An electrical circuit arranged in a half bridge topology. The electrical circuit includes a high side transistor; a low side transistor; a gate driver and level shifter electrically coupled to a gate of the high side transistor; a gate driver electrically coupled to a gate of the low side transistor; a capacitor electrically coupled in parallel with the gate driver and level shifter; a voltage source electrically coupled to an input of the gate driver and level shifter and an input of the gate driver; and, a bootstrap transistor electrically coupled between the voltage source and the capacitor. A GaN field-effect transistor is synchronously switched with a low side device of the half bridge circuit.
(FR) L'invention concerne un circuit électrique disposé dans une topologie en demi-pont. Le circuit électrique comprend un transistor côté haut; un transistor côté bas; un pilote de grille et dispositif de décalage de niveau couplé électriquement à une grille du transistor côté haut; un pilote de grille couplé électriquement à une grille du transistor côté bas; un condensateur couplé électriquement en parallèle aux pilote de grille et dispositif de décalage de niveau; une source de tension couplée électriquement à une entrée du pilote de grille et dispositif de décalage de niveau et une entrée du pilote de grille; et un transistor d'amorçage couplé électriquement entre la source de tension et le condensateur. Un transistor à effet de champ GaN est commuté de façon synchrone avec un dispositif côté bas du circuit en demi-pont.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)