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1. (WO2016057202) PROGRAMMING OF DRAIN SIDE WORD LINE TO REDUCE PROGRAM DISTURB AND CHARGE LOSS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/057202 International Application No.: PCT/US2015/051275
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 21.09.2015
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
Applicants: SanDisk Technologies LLC[US/US]; 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventors: YUAN, Jiahui; US
DONG, Yingda; US
LU, Ching-Huang; US
ZHAO, Wei; US
Agent: MAGEN, BURT; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105, US
Priority Data:
14/508,16407.10.2014US
Title (EN) PROGRAMMING OF DRAIN SIDE WORD LINE TO REDUCE PROGRAM DISTURB AND CHARGE LOSS
(FR) PROGRAMMATION DE LIGNE DE MOTS CÔTÉ DRAIN POUR RÉDUIRE LA PERTURBATION DE PROGRAMME ET LA PERTE DE CHARGE
Abstract: front page image
(EN) Techniques are provided for programming the memory cells of a drain-side edge word line of a set of word lines before programming memory cells of any other word line of the set. Pass voltages applied to the other word lines act as stress pulses which redistribute holes in the charge-trapping material of the memory cells of the other word lines to reduce short-term charge loss and downshifting of the threshold voltage. Additionally, one or more initial program voltages used for the drain-side edge word line are relatively low and also act as stress pulses. The memory cells of the drain-side edge word line are programmed to a narrower Vth window than the memory cells of the other word lines. This compensates for a higher level of program disturb of erased state memory cells of the drain-side edge word line due to reduced channel boosting.
(FR) La présente invention porte sur des techniques de programmation des cellules de mémoire d'une ligne de mots de bord côté drain d'un ensemble de lignes de mots avant la programmation des cellules de mémoire selon une quelconque autre ligne de mots de l'ensemble. Des tensions de passage appliquées sur les autres lignes de mots agissent en tant qu'impulsions de contrainte qui redistribuent des trous dans la matière de piégeage de charges des cellules de mémoire des autres lignes de mots pour réduire la perte de charge à court terme et le décalage vers le bas de la tension de seuil. En outre, une ou plusieurs tensions de programme initiales utilisées pour la ligne de mots de bord côté drain sont relativement faibles et agissent également comme impulsions de contrainte. Les cellules de mémoire de la ligne de mots de bord côté drain sont programmées à une fenêtre Vth plus étroite que les cellules de mémoire des autres lignes de mots. Ceci compense un niveau plus élevé de perturbation de programme de cellules de mémoire à l'état effacé de la ligne de mots de bord côté drain en raison d'une amplification de canal réduite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)