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1. (WO2016057063) HIGH TEMPERATURE DATA RETENTION IN MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/057063    International Application No.:    PCT/US2015/000112
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 09.10.2015
IPC:
G11C 11/14 (2006.01)
Applicants: EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1347 N. Alma School Road Suite 220 Chandler, AZ 85224 (US)
Inventors: SLAUGHTER, Jon; (US).
JANESKY, Jason, Allen; (US)
Agent: MA, Jameson, Q.; (US)
Priority Data:
14/879,061 08.10.2015 US
62/062,697 10.10.2014 US
Title (EN) HIGH TEMPERATURE DATA RETENTION IN MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) RÉTENTION DE DONNÉES HAUTE TEMPÉRATURE DANS UNE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE
Abstract: front page image
(EN)Techniques and circuits for storing and retrieving data using spin-torque magnetic memory cells as anti-fuses are presented. Circuits are included to allow higher-magnitude voltages and currents to be applied to magnetic memory cells to intentionally break down the dielectric layer included the magnetic tunnel junction. Magnetic memory cells having a normal-resistance magnetic tunnel junction with an intact dielectric layer are used to store a first data state, and magnetic memory cells having a magnetic tunnel junction with a broken-down dielectric layer are used to store a second data state. Data can be stored in such a manner during wafer probe and then later read out directly or copied into other magnetic or non-magnetic memory on the device for use in operations after the device is included in a system.
(FR)L'invention concerne des techniques et des circuits destinés à stocker et récupérer des données à l'aide de cellules de mémoire magnétique à couple de transfert de spin en tant qu'antifusibles. Des circuits sont inclus pour permettre d'appliquer des tensions et des courants d'amplitude plus élevée à des cellules de mémoire magnétique afin de rompre intentionnellement la couche diélectrique comprise dans la jonction tunnel magnétique. Des cellules de mémoire magnétique ayant une jonction tunnel magnétique à résistance normale avec une couche diélectrique intacte sont utilisées pour stocker un premier état de données, et des cellules de mémoire magnétique ayant une jonction tunnel magnétique comprenant une couche diélectrique rompue sont utilisées pour stocker un second état de données. Des données peuvent être stockées d'une telle manière lors de la sonde de tranche et ensuite lues directement ou copiées plus tard dans une autre mémoire magnétique ou non magnétique sur le dispositif pour une utilisation dans des opérations après que le dispositif est inclus dans un système.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)