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1. (WO2016056823) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/056823    International Application No.:    PCT/KR2015/010556
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 06.10.2015
IPC:
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01)
Applicants: SEMICON LIGHT CO.,LTD. [KR/KR]; 3F 49, Wongomae-ro 2beon-gil, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 446-901 (KR)
Inventors: JEON, Soo Kun; (KR).
KIM, Tae Hyun; (KR).
KIM, Tea Jin; (KR).
JIN, Geun Mo; (KR).
PARK, Jun Chun; (KR)
Agent: AN, Sang Jeong; (KR)
Priority Data:
10-2014-0134346 06.10.2014 KR
10-2014-0140891 17.10.2014 KR
10-2014-0140892 17.10.2014 KR
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
(KO) 반도체 발광소자
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting device comprising a plurality of semiconductor layers, a first electrode part, and a second electrode part, wherein the first electrode part and/or the second electrode part comprise(s): an upper electrode formed on an insulating reflection layer; an island type ohmic electrode, a connection type ohmic electrode, and a branch electrode branched out from the connection type ohmic electrode, the ohmic electrodes and the branch electrode electrically communicating with the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer; and an electrical connection penetrating the insulating reflection layer so as to connect the connection type ohmic electrode with the upper electrode, wherein the area of the connection type ohmic electrode is larger than that of the island type ohmic electrode.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs comprenant : une pluralité de couches semi-conductrices; une première partie d'électrode; et une deuxième partie d'électrode, la première partie d'électrode et/ou la deuxième partie d'électrode comprenant : une électrode supérieure formée sur une couche de réflexion isolante; une électrode ohmique de type îlot, une électrode ohmique de type à connexion, et une électrode de dérivation ramifiée à partir de l'électrode ohmique de type à connexion, les électrodes ohmiques et l'électrode de dérivation communiquant électriquement avec la pluralité de couches semi-conductrices sous la couche de réflexion isolante; et une connexion électrique pénétrant dans la couche de réflexion isolante de manière à connecter l'électrode ohmique de type à connexion avec l'électrode supérieure, la superficie de l'électrode ohmique de type à connexion étant supérieure à celle de l'électrode ohmique de type îlot.
(KO)본 개시는 복수의 반도체층; 제1 전극부; 및 제2 전극부;를 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 섬형(island type) 오믹 전극, 연결형 오믹 전극, 및 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결(an electrical connection);을 포함하며, 연결형 오믹 전극은 섬형 오믹 전극보다 면적이 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자(SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)에 관한 것이다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)