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1. (WO2016056750) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/056750    International Application No.:    PCT/KR2015/009228
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 02.09.2015
IPC:
H01L 33/62 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01)
Applicants: LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336 (KR)
Inventors: YUH, Hwankuk; (KR)
Agent: PARK, Jang-Won; (KR)
Priority Data:
10-2014-0135207 07.10.2014 KR
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer which are sequentially stacked; a first conductivity type upper electrode portion and a first conductivity type lower electrode portion disposed to correspond to each other with the first conductivity type semiconductor layer interposed therebetween; a second conductivity type upper electrode portion and a second conductivity type lower electrode portion disposed to correspond to each other with the first and second conductivity type semiconductor layers interposed therebetween; and a second conductivity type electrode connection portion electrically connecting the second conductivity type upper electrode portion and the second conductivity type lower electrode portion.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche active et une couche de semi-conducteur d'un second type de conductivité qui sont empilées séquentiellement ; une partie électrode supérieure du premier type de conductivité et une partie électrode inférieure du premier type de conductivité disposées pour se correspondre l'une à l'autre, la couche de semi-conducteur du premier type de conductivité étant intercalée entre elles ; une partie électrode supérieure du second type de conductivité et une partie électrode inférieure du second type de conductivité disposées pour se correspondre l'une à l'autre, les couches de semi-conducteur des premier et second types de conductivité étant intercalées entre elles ; et une partie de connexion d'électrodes du second type de conductivité connectant électriquement la partie électrode supérieure du second type de conductivité et la partie électrode inférieure du second type de conductivité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)