WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Saturday 18.08.2018 at 9:00 AM CEST
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016056655) METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/056655 International Application No.: PCT/JP2015/078802
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 09.10.2015
IPC:
H01L 21/603 (2006.01) ,C08G 59/18 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251, JP
Inventors: IKEMOTO, Makoto; JP
KAWASE, Yasuhiro; JP
Agent: SENMYO, Kenji; JP
Priority Data:
2014-20910010.10.2014JP
2015-17090631.08.2015JP
Title (EN) METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイスの製造法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a method for making a semiconductor device wherein a cured adhesive layer that is excellent in bonding property and in conductivity can be formed without occurrence of voids in the cured adhesive layer. In a method for making a semiconductor device by using thermocompression bonding equipment to thermocompression-bond together a semiconductor chip having solder bumps and a semiconductor board having electrode pads with an interlayer filler composition intervening therebetween, the bonding is performed on temperature condition that the temperatures of the head and stage of the thermocompression bonding equipment are in a range defined, in a graph having an ordinate axis representative of the head temperature and having an abscissa axis representative of the stage temperature, by the following four equations: H + 1.9S = 590 Equation 1, H + 0.526S = 310 Equation 2, H + 0.8S = 580 Equation 3, H + 1.25S = 725 Equation 4, where H is the head temperature (centigrade) and S is the stage temperature (centigrade).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, selon lequel une couche adhésive durcie qui présente d'excellentes propriétés de liaison et une excellente conductivité peut être formée sans apparition de vides dans la couche adhésive durcie. Dans un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur en utilisant un équipement de liaison par thermocompression pour lier ensemble par thermocompression une puce en semiconducteur munie de bossages de soudure et une carte en semiconducteurs munie de pastilles d'électrode avec une composition de charge intercouche intervenant entre elles, la liaison est réalisée dans des conditions de température telles que les températures de la tête et de la platine de l'équipement de liaison par thermocompression se trouvent dans une plage qui est définie, dans un graphique ayant un axe des ordonnées représentatif de la température de la tête et ayant un axe des abscisses représentatif de la température de la platine, par les quatre équations suivantes : H + 1,9S = 590 Équation 1, H + 0,526S = 310 Équation 2, H + 0,8S = 580 Équation 3, H + 1,25S = 725 Équation 4, où H est la température de la tête (en °C) et S est la température de la platine (en °C).
(JA)  硬化接着層にボイドを発生させることなく、接合性、導通性に優れた硬化接着層の形成が可能な半導体デバイスの製造法を提供する。 半田バンプを有する半導体チップと電極パッドを有する半導体基板とを、層間充填剤組成物を介して熱圧着接合装置により熱圧着接合して半導体デバイスを製造する方法において、該熱圧着接合装置のヘッド及びステージの温度が、ヘッド温度を縦軸、ステージ温度を横軸としたグラフにおいて、下記4つの式で囲まれた範囲内となる温度条件にて接合する。 H+1.9S=590 …式1 H+0.526S=310 …式2 H+0.8S=580 …式3 H+1.25S=725 …式4 (Hはヘッド温度(℃)であり、Sはステージ温度(℃)である。)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)