WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016056409) STACKED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/056409    International Application No.:    PCT/JP2015/077241
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 28.09.2015
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventors: KAGAWA Yoshihisa; (JP).
FUJII Nobutoshi; (JP).
MATSUNUMA Takeshi; (JP)
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-207129 08.10.2014 JP
Title (EN) STACKED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF EMPILÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 積層型デバイスおよび製造方法、並びに、電子機器
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure pertains to a stacked device, a manufacturing method, and an electronic apparatus that enable the impact that noise generated from one substrate imparts to another substrate to be suppressed. At a joining surface of one substrate, formed is a first metal layer, and at a joining surface of another substrate which is stacked on the one substrate, formed is a second metal layer. An electromagnetic-wave shield structure for interrupting electromagnetic waves is formed between the one substrate and the other substrate as a result of joining the metal layer of the one substrate and the metal layer of the other substrate and thereby fixing potential. The present technology can be applied to, for example, a stacked CMOS image sensor.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif empilé, un procédé de fabrication et un appareil électronique qui permettent de supprimer l'influence du bruit généré par un substrat sur un autre substrat. Une première couche métallique est formée au niveau d'une surface d'assemblage d'un premier substrat, et une seconde couche métallique est formée au niveau d'une surface d'assemblage d'un autre substrat qui est empilé sur le premier substrat. Une structure de blindage d'ondes électromagnétiques destinée à interrompre des ondes électromagnétiques est formée entre le premier substrat et l'autre substrat en résultat de l'assemblage de la couche métallique du premier substrat et de la couche métallique de l'autre substrat, ce qui permet de fixer le potentiel. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à un capteur d'image CMOS empilé.
(JA)本開示は、一方の基板から発生するノイズが他方の基板に与える悪影響を抑制することができるようにする積層型デバイスおよび製造方法、並びに、電子機器に関する。 一方の基板の接合面に第1の金属層が形成され、その一方の基板に対して積層される他方の基板の接合面に第2の金属層が形成される。そして、一方の基板の金属層と他方の基板の金属層とを接合して電位固定することによって、一方の基板と他方の基板との間で電磁波を遮断する電磁波シールド構造を構成する。本技術は、例えば、積層型のCMOSイメージセンサに適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)