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1. (WO2016056368) IMAGE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/056368    International Application No.:    PCT/JP2015/076377
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 17.09.2015
IPC:
H04N 5/353 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: TECHNOLOGY HUB INC. [JP/JP]; 7-1-26, Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP).
MEGACHIPS CORPORATION [JP/JP]; 1-1 Miyahara 1-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Inventors: UKAI Yukihiro; (JP).
SAWADA Takashi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Priority Data:
2014-207141 08.10.2014 JP
2015-129913 29.06.2015 JP
Title (EN) IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGES
(JA) 画像センサ
Abstract: front page image
(EN)The present invention is an image sensor that can automatically adjust exposure time. A light receiving element 10 comprises: a first-type semiconductor layer 11 to which a first power-source potential is imparted; a second-type semiconductor layer 12 that is formed on the semiconductor layer 11 and that receives light in a portion that connects with the semiconductor layer 11; first-type regions 122, 124 that are formed in the upper part of the semiconductor layer 12 so as to have an interval therebetween; an electrode 15 that is disposed on the region 122 and to which a second power-source potential different from the first power-source potential is imparted; an electrode 16 that is disposed on the region 124; an insulation layer 13 that is formed on the semiconductor layer 12 and between the regions 122, 124; and a gate electrode 14 that is formed on the insulation layer 13 and to which a gate voltage is imparted. A current reading unit detects the current flowing from the region 122 to the region 124 as a pixel signal which reflects the quantity of light received by the light receiving element 10.
(FR)L'invention concerne un capteur d'images qui permet d'ajuster automatiquement une durée d'exposition à la lumière. Un élément de réception optique (10) possède : une couche semi-conductrice (11) d'un premier type vis-à-vis de laquelle est appliqué un premier potentiel d'alimentation électrique ; une couche semi-conductrice (12) d'un second type qui est formée sur la couche semi-conductrice (11), et qui reçoit une lumière dans sa partie liaison avec la couche semi-conductrice (11) ; des régions (122, 124) d'un premier type formées en maintenant un intervalle entre elles, dans une partie supérieure de la couche semi-conductrice (12) ; une électrode (15) qui est agencée sur la région (122), et vis-à-vis de laquelle est appliqué un second potentiel d'alimentation électrique différent du premier potentiel d'alimentation électrique ; une électrode (16) qui est agencée sur la région (124) ; une couche isolante (13) qui est formée sur la couche semi-conductrice (12) dans l'espace entre les régions (122, 124) ; et une électrode grille (14) qui est formée sur la couche isolante (13), et vis-à-vis de laquelle est appliqué un potentiel de grille. Une partie lecture de courant détecte un courant circulant de la région (122) vers la région (124), en tant que signal de pixel tel qu'est reflétée une quantité de lumière reçue par l'élément de réception optique (10).
(JA) 本発明は露光時間を自動的に調整できる画像センサである。受光素子10は、第1電源電位が印加される第1型の半導体層11と、半導体層11の上に形成され、半導体層11との接合部において光を受ける第2型の半導体層12と、半導体層12の上部において、互いに間隔を空けて形成される第1型の領域122,124と、領域122の上に設けられ、第1電源電位とは異なる第2電源電位が印加される電極15と、領域124の上に設けられる電極16と、領域122,124の間において、半導体層12の上に形成される絶縁層13と、絶縁層13の上に形成され、ゲート電圧が印加されるゲート電極14とを有する。電流読出部は、領域122から領域124へと流れる電流を、受光素子10が受光した光量を反映する画素信号として検出する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)