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1. (WO2016056206) METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/056206    International Application No.:    PCT/JP2015/004989
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 30.09.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
Applicants: JOLED INC. [JP/JP]; 23, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: SASAKI, Atsushi; .
TAKEDA, Eiji; .
GOTO, Masashi; .
SUGAWARA, Yuta;
Agent: YOSHIKAWA, Shuichi; (JP)
Priority Data:
2014-209421 10.10.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタの製造方法
Abstract: front page image
(EN) A method for manufacturing a thin-film transistor (1) having an oxide semiconductor layer (40), the method including: a step (S30) for introducing a prescribed process gas and performing sputtering, thereby forming an oxide semiconductor film (40a) such that the carrier density exceeds a prescribed first value; and a step (S40) for performing an annealing treatment or a plasma treatment in an oxidizing atmosphere such that the carrier density of the oxide semiconductor film (40a) is at or below the first value.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces (1) comportant une couche (40) de semi-conducteur à oxyde, le procédé comprenant : une étape (S30) consistant à introduire un gaz de traitement prescrit et à effectuer une pulvérisation, formant ainsi un film (40a) de semi-conducteur à oxyde de sorte que la densité de porteurs dépasse une première valeur prescrite ; et une étape (S40) consistant à effectuer un traitement de recuit ou un traitement au plasma dans une atmosphère oxydante, de sorte que la densité de porteurs du film (40a) de semi-conducteur à oxyde soit inférieure ou égale à la première valeur.
(JA) 酸化物半導体層(40)を有する薄膜トランジスタ(1)の製造方法であって、所定のプロセスガスを導入してスパッタリングを行うことによって、キャリア密度が所定の第1の値を越えるように酸化物半導体膜(40a)を成膜する工程(S30)と、酸化物半導体膜(40a)のキャリア密度が前記第1の値以下となるように、酸化雰囲気下でアニール処理又はプラズマ処理を行う工程(S40)とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)