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1. (WO2016055319) MODIFICATION ARRANGEMENT FOR AN X-RAY GENERATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/055319 International Application No.: PCT/EP2015/072500
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 30.09.2015
IPC:
H01J 35/14 (2006.01) ,H01J 35/24 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.[NL/NL]; High Tech Campus 5 5656 AE Eindhoven, NL
Inventors: BEHLING, Rolf Karl Otto; NL
ROESSL, Ewald; NL
Agent: VAN LIEMPD, Johannes Petrus Josephus Gerardus; NL
Priority Data:
14187712.606.10.2014EP
Title (EN) MODIFICATION ARRANGEMENT FOR AN X-RAY GENERATING DEVICE
(FR) SYSTÈME DE MODIFICATION POUR UN DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE RAYONS X
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a modification arrangement for an X-ray generating device, a modification method, a computer program element for controlling such device and a computer readable medium having stored such computer program element. The modification arrangement comprises a cathode, an anode (2) and modification means, e.g. a modification device. The cathode is configured to provide an electron beam (15). The anode (2) is configured to rotate under impact of the electron beam (15) and is segmented by slits (21) arranged around the anode's circumference. The modification means are configured to modify the electron beam (15) when the electron beam (15) is hitting one of the anode's rotating slits (21).
(FR) L'invention concerne un système de modification pour un dispositif de génération de rayons X, un procédé de modification, un élément programme informatique pour commander ledit dispositif et un support lisible par ordinateur ayant stocké ledit élément programme informatique. Le système de modification comprend une cathode, une anode (2) et un moyen de modification, par exemple un dispositif de modification. La cathode est conçue pour fournir un faisceau d'électrons (15). L'anode (2) est conçue pour tourner sous l'effet du faisceau d'électrons (15) et est segmentée en fentes (21) disposées autour de la circonférence de l'anode. Le moyen de modification est conçu pour modifier le faisceau d'électrons (15) quand le faisceau d'électrons (15) frappe une des fentes (21) en rotation de l'anode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)