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1. (WO2016054866) GZO (ZNO:GA) CRYSTAL GROWTH METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/054866    International Application No.:    PCT/CN2014/095752
Publication Date: 14.04.2016 International Filing Date: 31.12.2014
IPC:
C30B 13/00 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01)
Applicants: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; No. 100 PingLeYuan, ChaoYang District, Beijing Beijing 100124 (CN)
Inventors: JIANG, Yijian; (CN).
MA, Yunfeng; (CN).
WANG, Yue; (CN).
MEI, Xiaoping; (CN).
ZHANG, Chunping; (CN).
WANG, Qiang; (CN).
XU, Yangli; (CN)
Agent: BEIJING SHTD IP AGENCY LTD.; Room 302,The East Wing of old library,Beijing University of Technology,NO.100 PingLeYuan,Chao Yang District,Beijing Beijing 100124 (CN)
Priority Data:
201410532380.3 10.10.2014 CN
Title (EN) GZO (ZNO:GA) CRYSTAL GROWTH METHOD
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL DE GZO (ZNO:GA)
(ZH) 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to the technical field of crystal growth, and disclosed is a method of growing a GZO (ZnO:Ga) crystal. The method comprises: preparing a dense, uniform and single-phase high quality material bar, obtaining optimal ingredients and proportions of a fluxing agent, and obtaining optimal process parameters such as a growth power, a growth rate, a rotation speed of the material bar and seed crystal and the like, for a series of single crystals grown by a moving fluxing agent optical floating zone method. The crystal obtained in the present invention has a high crystallization quality, a fixed growth direction, and excellent electrical properties.
(FR)La présente invention concerne le domaine technique de la croissance de cristaux et l'invention porte sur un procédé permettant de faire croître un cristal de GZO (ZnO:Ga). Le procédé comprend : la préparation d'une barre de matériau dense, de haute qualité, uniforme et à une seule phase, l'obtention d'ingrédients optimaux et de proportions optimales d'un fondant et l'obtention de paramètres de procédé optimaux tels qu'une puissance de croissance, une vitesse de croissance, une vitesse de rotation de la barre de matériau et du germe cristallin et autre, pour une série de monocristaux amenés à croître par une méthode de zone flottante optique, à fondant se déplaçant. Le cristal obtenu dans la présente invention présente une haute qualité de cristallisation, une direction de croissance fixe et d'excellentes propriétés électriques.
(ZH)一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法,属于晶体生长技术领域。首先要制备出致密、均匀、单相优质料棒,其次是优化出助熔剂成分及配比,再次是得出移动助熔剂光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒和籽晶转速等最佳工艺参数。本发明得到的晶体结晶质量高,生长方向固定,电学性质优异。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)