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1. (WO2016053619) FLOWABLE LOW-K DIELECTRIC GAPFILL TREATMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/053619 International Application No.: PCT/US2015/050242
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 15.09.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventors: THADANI, Kiran V.; US
MALLICK, Adhijit Basu; US
KAMATH, Sanjay; US
Agent: BERNARD, Eugene; US
Priority Data:
14/502,49230.09.2014US
Title (EN) FLOWABLE LOW-K DIELECTRIC GAPFILL TREATMENT
(FR) TRAITEMENT DE REMPLISSAGE DE VIDES DE DIÉLECTRIQUE À FAIBLE K FLUIDE
Abstract: front page image
(EN) Methods are described for forming a flowable low-k dielectric film on a patterned substrate. The film may be a silicon-carbon-oxygen (Si-C-O) layer in which the silicon and carbon constituents come from a silicon and carbon containing precursor while the oxygen may come from an oxygen-containing precursor activated in a remote plasma region. Shortly after deposition, the silicon-carbon-oxygen layer is treated by exposure to a hydrogen-and-nitrogen-containing precursor such as ammonia prior to curing. The treatment may remove residual moisture from the silicon-carbon-oxygen layer and may make the lattice more resilient during curing and subsequent processing. The treatment may reduce shrinkage of the silicon-carbon-oxygen layer during subsequent processing.
(FR) L'invention concerne des procédés permettant de former un film diélectrique à faible K fluide sur un substrat comportant des motifs. Le film peut être une couche de silicium-carbone-oxygène (Si-C-O) dans laquelle les constituants silicium et carbone proviennent d'un précurseur contenant du silicium et du carbone, tandis que l'oxygène peut provenir d'un précurseur contenant de l'oxygène activé dans une région de plasma distante. Peu de temps après la déposition, la couche de silicium-carbone-oxygène est traitée par exposition à un précurseur contenant de l'hydrogène et de l'azote comme l'ammoniac avant le durcissement. Le traitement permet d'éliminer l'humidité résiduelle de la couche de silicium-carbone-oxygène, et permet de rendre le réseau plus résilient pendant le durcissement et un traitement ultérieur. Le traitement permet de réduire le retrait de la couche de silicium-carbone-oxygène au cours d'un traitement ultérieur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)