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1. (WO2016053413) FABRICATING RADIATION-DETECTING STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/053413    International Application No.:    PCT/US2015/036921
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 22.06.2015
IPC:
G01T 3/08 (2006.01), H01L 31/115 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE [US/US]; 110 8th Street Troy, New York 12180 (US)
Inventors: DAHAL, Rajendra P.; (US).
BHAT, Ishwara B.; (US).
DANON, Yaron; (US).
LU, James Jian-Qiang; (US)
Agent: RADIGAN, Kevin P.; (US)
Priority Data:
62/015,573 23.06.2014 US
Title (EN) FABRICATING RADIATION-DETECTING STRUCTURES
(FR) FABRICATION DE STRUCTURES DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)Methods for fabricating radiation-detecting structures are presented. The methods include, for instance: fabricating a radiation-detecting structure, the fabricating including: providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate having a plurality of cavities extending into the semiconductor substrate from a surface thereof; and electrophoretically depositing radiation-detecting particles of a radiation-detecting material into the plurality of cavities extending into the semiconductor substrate, where the electrophoretically depositing fills the plurality of cavities with the radiation-detecting particles. In one embodiment, the providing can include electrochemically etching the semiconductor substrate to form the plurality of cavities extending into the semiconductor substrate. In addition, the providing can further include patterning the surface of the semiconductor substrate with a plurality of surface defect areas, and the electrochemically etching can include using the plurality of surface defect areas to facilitate electrochemically etching into the semiconductor substrate through the plurality of surface defect areas to form the plurality of cavities.
(FR)La présente invention concerne des procédés de fabrication de structures de détection de rayonnement. Les procédés comprennent, par exemple : la fabrication d'une structure de détection de rayonnement, la fabrication comprenant : l'obtention d'un substrat semi-conducteur, le substrat semi-conducteur comportant une pluralité de cavités s'étendant dans le substrat semi-conducteur à partir d'une surface de celui-ci ; et le dépôt par voie électrophorétique de particules de détection de rayonnement à base d'un matériau de détection de rayonnement dans la pluralité de cavités s'étendant dans le substrat semi-conducteur, le dépôt par voie électrophorétique remplissant la pluralité de cavités avec les particules de détection de rayonnement. Dans un mode de réalisation, l'obtention peut comprendre la gravure électrochimique du substrat semi-conducteur pour former la pluralité de cavités s'étendant dans le substrat semi-conducteur. En outre, l'obtention peut comprendre la formation de motifs sur la surface du substrat semi-conducteur avec une pluralité de zones de défauts de surface, et la gravure électrochimique peut comprendre l'utilisation de la pluralité de zones de défauts de surface pour faciliter la gravure électrochimique dans le substrat semi-conducteur à travers la pluralité de zones de défauts de surface pour former la pluralité de cavités.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)