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1. (WO2016052997) VERTICAL ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/052997 International Application No.: PCT/KR2015/010317
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 30.09.2015
IPC:
H01L 33/14 (2010.01)
Applicants: SEOUL VIOSYS CO., LTD.[KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 15609, KR
Inventors: PARK, Ki Yon; KR
HAN, Yu Dae; KR
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Priority Data:
10-2014-013198630.09.2014KR
Title (EN) VERTICAL ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE VERTICAL
Abstract: front page image
(EN) A UV light emitting device is disclosed. The UV light emitting device includes: a substrate; an n-type semiconductor layer disposed on the substrate; an active layer disposed on the n-type semiconductor layer; a hole injection layer disposed on the active layer and comprising Al; an Al-delta layer disposed on the hole injection layer and comprising Al; and a first p-type contact layer disposed on the Al-delta layer and having a higher doping concentration of p-type dopants than the hole injection layer, wherein the first p-type contact layer has a lower Al content than the hole injection layer, a band-gap of the first p-type contact layer is lower than or equal to energy of light emitted from the active layer, and the Al-delta layer has a higher Al content than the hole injection layer and allows holes to enter the active layer by tunneling therethrough.
(FR) L'invention porte sur un dispositif émetteur de lumière ultraviolette (UV). Le dispositif émetteur de lumière UV comprend : un substrat ; une couche semi-conductrice du type n disposée sur le substrat ; une couche active disposée sur la couche semi-conductrice du type n ; une couche d'injection de trous disposée sur la couche active et comportant de l'aluminium (Al) ; une couche à delta Al disposée sur la couche d'injection de trous et comportant Al ; une première couche de contact du type p disposée sur la couche à delta Al et ayant une plus forte concentration de dopage en dopants du type p que la couche d'injection de trous, la première couche de contact du type p ayant une plus faible teneur en Al que la couche d'injection de trous, la largeur de bande interdite de la première couche de contact du type p étant inférieure ou égale à l'énergie de la lumière émise par la couche active, la couche à delta Al ayant une plus forte teneur en Al que la couche d'injection de trous et permettant à des trous d'entrer dans la couche active par effet tunnel à travers elle.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)