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1. (WO2016052679) SENSOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/052679    International Application No.:    PCT/JP2015/077877
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 30.09.2015
IPC:
G01N 29/02 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventors: KOBAYASHI, Kyohei; (JP)
Agent: SAIKYO, Keiichiro; (JP)
Priority Data:
2014-201249 30.09.2014 JP
Title (EN) SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR
(JA) センサ装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a sensor device capable of measuring a specimen with excellent sensitivity. A sensor device 100 is provided with: an element substrate 10a; a detection unit 10b having a reaction unit 13, which has an immobilization film 13a and performs detection with respect to a specimen, a first IDT electrode 11 generating elastic waves that propagate toward the reaction unit 13, and a second IDT electrode 12 that receives elastic waves passed through the reaction unit 13, said reaction unit, first IDT electrode, and second IDT electrode being positioned on the upper surface of the element substrate 10a; and a protection film 28 covering the first IDT electrode 11 and the second IDT electrode 12. In the element substrate 10a, the region where the reaction unit 13 is positioned is lower than the region where the first IDT electrode 11 and the second IDT electrode 12 are positioned.
(FR)La présente invention concerne un dispositif capteur apte à mesurer un échantillon avec une excellente sensibilité. Un dispositif capteur 100 comprend : un substrat d'élément 10a ; une unité de détection 10b ayant une unité de réaction 13, qui a un film d'immobilisation 13a et réalise une détection par rapport à un échantillon, une première électrode IDT 11 générant des ondes élastiques qui se propagent vers l'unité de réaction 13, et une seconde électrode IDT 12 qui reçoit les ondes élastiques passées à travers l'unité de réaction 13, ladite unité de réaction, la première électrode IDT et la seconde électrode IDT étant positionnées sur la surface supérieure du substrat d'élément 10a ; et un film de protection 28 recouvrant la première électrode IDT 11 et la seconde électrode IDT 12. Dans le substrat d'élément 10a, la région dans laquelle se trouve l'unité de réaction 13 est inférieure à la région dans laquelle la première électrode IDT 11 et la seconde électrode IDT 12 sont positionnées.
(JA) 本発明は、検体を感度良く測定できるセンサ装置に関する。素子基板10aと、素子基板10aの上面に位置している、固定化膜13aを有し検体の検出を行なう反応部13、反応部13に向かって伝搬する弾性波を発生させる第1IDT電極11、および反応部13を通過した弾性波を受信する第2IDT電極12、を有する検出部10bと、第1IDT電極11および第2IDT電極12を覆っている保護膜28と、を備え、素子基板10aは、第1IDT電極11および第2IDT電極12が位置している領域よりも反応部13が位置している領域の方が低い、センサ装置100とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)