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1. (WO2016052482) METHOD FOR PRODUCING LIGHT INCIDENT-SIDE ELECTRODE OF DYE-SENSITIZED PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/052482    International Application No.:    PCT/JP2015/077460
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 29.09.2015
IPC:
H01G 9/20 (2006.01)
Applicants: THE DOSHISHA [JP/JP]; 601, Gembu-cho, Karasuma-higashi-iru, Imadegawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028580 (JP)
Inventors: YOSHIKADO, Shinzo; (JP).
SATO, Yuuki; (JP).
KAWAKAMI, Ryo; (JP)
Agent: MINORI PATENT PROFESSION CORPORATION; Chiyoda Seimei Kyoto Oike Bldg. 8F, 200, Takamiya-cho, Oike-dori Takakura Nishi-iru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040835 (JP)
Priority Data:
2014-203872 02.10.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT INCIDENT-SIDE ELECTRODE OF DYE-SENSITIZED PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLECTRODE CÔTÉ LUMIÈRE INCIDENTE D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À COLORANT
(JA) 色素増感型光電変換素子の光入射側電極の製造法
Abstract: front page image
(EN)A pair of electrodes, one of which is composed of a light-transmitting conductive substrate, are set in a colloid of first semiconductor fine particles having a predetermined average particle diameter and electrophoresis is performed using the light-transmitting conductive substrate as the negative electrode, thereby having the first semiconductor fine particles laminated on a transparent conductive film of the light-transmitting conductive substrate. A pair of electrodes, one of which is composed of the light-transmitting conductive substrate having the first semiconductor fine particles laminated thereon, are set in a colloid of second semiconductor fine particles having a larger average particle diameter than the first semiconductor fine particles and electrophoresis is performed using the light-transmitting conductive substrate as the positive electrode, thereby having the second semiconductor fine particles laminated on the first semiconductor fine particle layer of the light-transmitting conductive substrate. After subjecting the thus-obtained light-transmitting conductive substrate to a heat treatment, the light-transmitting conductive substrate is immersed in a solution, into which a dye is dissolved, so that the dye is adsorbed only on the first semiconductor fine particle layer of the light-transmitting conductive substrate.
(FR)Une paire d'électrodes, dont l'une est composée d'un substrat conducteur transmettant la lumière, définit un colloïde de premières particules fines semiconductrices ayant un diamètre de particule moyen prédéterminé et une électrophorèse est effectuée en utilisant le substrat conducteur transmettant la lumière en tant qu'électrode négative, les premières particules fines semiconductrices étant ainsi stratifiées sur un film conducteur transparent du substrat conducteur transmettant la lumière. Une paire d'électrodes, dont l'une est composée du substrat conducteur transmettant la lumière sur lequel sont stratifiées les premières particules fines semiconductrices, définit un colloïde de secondes particules fines semiconductrices ayant un diamètre de particule moyen supérieure à celui des premières particules fines semiconductrices et une électrophorèse est effectuée en utilisant le substrat conducteur transmettant la lumière en tant qu'électrode positive, les secondes particules fines semiconductrices étant ainsi stratifiées sur la couche de premières particules fines semiconductrices du substrat conducteur transmettant la lumière. Après avoir soumis le substrat conducteur transmettant la lumière ainsi obtenu à un traitement thermique, le substrat conducteur transmettant la lumière est immergé dans une solution, dans laquelle est dissous un colorant, de sorte que le colorant est adsorbé uniquement sur la couche de premières particules fines semiconductrices du substrat conducteur transmettant la lumière.
(JA) 所定の平均粒径を有する第1の半導体粒子群のコロイド中に、一方が透光性導電基板からなる一対の電極を挿入し、透光性導電基板を陰極として電気泳動を行い、透光性導電基板の透明導電膜上に第1の半導体微粒子を積層する。第1の半導体粒子群よりも平均粒径が大きい第2の半導体粒子群のコロイド中に、一方が第1の半導体微粒子を積層した透光性導電基板からなる一対の電極を挿入し、透光性導電基板を陽極として電気泳動を行い、透光性導電基板の第1の半導体微粒子層上に第2の半導体微粒子を積層する。得られた透光性導電基板を熱処理した後、色素を溶解した溶液中に浸漬し、透光性導電基板の第1の半導体微粒子層のみに色素を吸着させる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)