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1. (WO2016052393) ORGANIC TREATMENT SOLUTION FOR PATTERNING OF RESIST FILM, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC TREATMENT SOLUTION FOR PATTERNING OF RESIST FILM, STORAGE CONTAINER FOR ORGANIC TREATMENT SOLUTION FOR PATTERNING OF RESIST FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/052393    International Application No.:    PCT/JP2015/077291
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 28.09.2015
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), C01B 7/01 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: YAMANAKA Tsukasa; (JP)
Agent: TAKAMATSU Takeshi; (JP)
Priority Data:
2014-200457 30.09.2014 JP
Title (EN) ORGANIC TREATMENT SOLUTION FOR PATTERNING OF RESIST FILM, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC TREATMENT SOLUTION FOR PATTERNING OF RESIST FILM, STORAGE CONTAINER FOR ORGANIC TREATMENT SOLUTION FOR PATTERNING OF RESIST FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD USING SAME
(FR) SOLUTION DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR FORMER LES MOTIFS SUR UN FILM DE PHOTORÉSINE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE DE SOLUTION DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR FORMER UN MOTIF SUR UN FILM DE PHOTORÉSINE, RÉCIPIENT DE STOCKAGE POUR SOLUTION DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR FORMER UN MOTIF SUR UN FILM DE PHOTORÉSINE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À L'AIDE DE CELUI-CI
(JA) レジスト膜のパターニング用有機系処理液、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、及び、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are: an organic treatment solution for patterning resist films, containing concentrations of metal elements Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni and Zn not exceeding 3ppm, said organic treatment solution for patterning resist films being capable of reducing the occurrence of particles in negative pattern formation of fine patterns (30nm node or less, for example) using an organic treatment solution for patterning of resist film, particularly using an organic developer; a method for producing an organic treatment solution for patterning of resist film; a storage container for organic treatment solution for patterning of resist film; and pattern formation method and electronic device production method using same.
(FR) L'invention concerne : une solution de traitement organique pour former des motifs sur des films de photorésine contenant des concentrations d'éléments métalliques Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni et Zn ne dépassant pas 3 ppm, ladite solution de traitement organique pour former des motifs sur des films de photorésine étant capables de réduire l'apparition de particules dans une formation de motif négatifs fins (par exemple, de noeud de 30 nm ou moins) à l'aide d'une solution de traitement organique pour créer un motif sur un film de photorésine, en particulier, au moyen d'un révélateur organique; procédé de production d'une solution de traitement organique pour former un motif sur un film de photorésine; récipient de stockage pour solution de traitement organique pour former des motifs sur un film de photorésine, et un procédé de formation de motif et procédé de production de dispositif électronique à l'aide de celui-ci.
(JA) レジスト膜のパターニング用有機系処理液であって、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znの金属元素濃度がいずれも3ppm以下である、レジスト膜のパターニング用有機系処理液により、特に、有機系現像液を用いて、微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成方法において、パーティクルの発生を低減可能なレジスト膜のパターニング用有機系処理液、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、及び、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)