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1. (WO2016052380) TUNGSTEN SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/052380 International Application No.: PCT/JP2015/077265
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 28.09.2015
Chapter 2 Demand Filed: 08.06.2016
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,B22F 1/00 (2006.01) ,C22C 27/04 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,B22F 3/14 (2006.01)
Applicants: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION[JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
Inventors: OHASHI Kazumasa; JP
ODA Kunihiro; JP
Agent: OGOSHI Isamu; JP
Priority Data:
2014-20184130.09.2014JP
Title (EN) TUNGSTEN SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN TUNGSTÈNE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法
Abstract:
(EN) Provided is a sputtering target, characterized by containing 0.01-0.5 wt% of Ag, with the remainder being W and unavoidable impurities. The purpose of the present invention is to provide a sputtering target with which it is possible to form a film of relatively low specific resistance by sputtering, the film being endowed with good uniformity and having excellent characteristics, particularly when forming thin films for semiconductor devices; and a method for producing the sputtering target.
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation, caractérisée en ce qu'elle contient de 0,01 à 0,5 % en poids d'Ag, le complément étant constitué de W et d'impuretés inévitables. L'objet de la présente invention est de fournir une cible de pulvérisation avec laquelle il est possible de former un film présentant une résistance spécifique relativement faible par pulvérisation, le film étant doté d'une bonne uniformité et présente d'excellentes caractéristiques, en particulier lors de la formation de films minces pour dispositifs à semi-conducteurs; et un procédé de production de la cible de pulvérisation.
(JA) Agを0.01~0.5wt%含有し、残余がW及び不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。本発明は、スパッタリングにより比抵抗の小さい膜を形成することができ、また、良好なユニフォーミティを備え、特に、半導体デバイス用薄膜の形成に際して、優れた特性をもつスパッタリングターゲット及び同スパッタリングターゲットの製造方法を提供することを課題とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)