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1. (WO2016052011) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/052011    International Application No.:    PCT/JP2015/073912
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 25.08.2015
IPC:
H02M 1/00 (2007.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: TAOKA, Masahiro; (JP)
Agent: HATTORI, Kiyoshi; (JP)
Priority Data:
2014-198778 29.09.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention enables a protective operation signal and a pre-alarm signal to be output using one alarm output terminal. A signal indicating the temperature of an IGB chip (1) and input to an overheat detection terminal (OH) is simultaneously input to a comparator (17) for detecting a protective operation and to a comparator (20) for detecting a pre-alarm. Under normal conditions where the chip temperature is low, a transistor (N1) connected to an alarm signal output terminal (ALM) via a resistor (24) and a transistor (N2) connected to the alarm signal output terminal (ALM) via a Zener diode (25) are in an off state and the voltage of the alarm signal output terminal (ALM) is pulled to a high level by an external pull-up circuit. When comparator (20) has detected a pre-alarm state, transistor (N2) enters an on state and the voltage of the alarm signal output terminal (ALM) is brought to an intermediate level. When comparator (17) has detected overheating of the chip, transistor (N1) enters the on state and the voltage of the alarm signal output terminal (ALM) is brought to a low level.
(FR)La présente invention permet à un signal de fonctionnement de protection et à un signal d'alarme préalable d'être délivrés en sortie à l'aide d'un terminal de sortie d'alarme. Un signal indiquant la température d'une puce IGB (1) et une entrée au niveau d'une borne de détection de surchauffe (OH) sont simultanément fournis à un comparateur (17) pour détecter un fonctionnement de protection et à un comparateur (20) pour détecter une alarme préalable. Dans des conditions normales où la température de la puce est faible, un transistor (N1) connecté à une borne de sortie de signal d'alarme (ALM) par l'intermédiaire d'une résistance (24) et un transistor (N2) connecté à la borne de sortie de signal d'alarme (ALM) par l'intermédiaire d'une diode Zener (25) sont dans un état bloqué et la tension de la borne de sortie de signal d'alarme (ALM) est amenée à un niveau élevé par un circuit d'excursion haute externe. Lorsque le comparateur (20) a détecté un état d'alarme préalable, le transistor (N2) entre dans un état passant et la tension de la borne de sortie de signal d'alarme (ALM) est amenée à un niveau intermédiaire. Lorsque le comparateur (17) a détecté la surchauffe de la puce, le transistor (N1) entre dans l'état passant et la tension de la borne de sortie de signal d'alarme (ALM) est amenée à un niveau faible.
(JA) 1つの警報信号出力端子で警報用の保護動作信号と予告警報用の信号を出力できるようにする。 過熱検出端子OHに入力されたIGBTチップ(1)の温度を表す信号は、保護動作を検出する比較器(17)と予告警報を検出する比較器(20)とに同時に入力される。チップ温度が低い通常時は、警報信号出力端子(ALM)に抵抗(24)を介して接続されたトランジスタ(N1)およびツェナーダイオード(25)を介して接続されたトランジスタ(N2)がオフ状態となり、外部プルアップ回路によりプルアップされた警報信号出力端子(ALM)を高いレベルの電圧にする。比較器(20)が予告警報状態を検出すると、トランジスタ(N2)がオン状態となり、警報信号出力端子(ALM)を中間レベルの電圧にし、比較器(17)がチップの過熱を検出すると、トランジスタ(N1)がオン状態となり、警報信号出力端子(ALM)を低いレベルの電圧にする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)