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1. (WO2016051993) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/051993    International Application No.:    PCT/JP2015/073571
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 21.08.2015
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: OKAMOTO, Chikao; .
ASANO, Naoki; .
MATSUMOTO, Yuta; .
KAMIKAWA, Takeshi;
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2014-203886 02.10.2014 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This photoelectric conversion element is provided with: a first conductivity-type section (3) and a second conductivity-type section (5), which are provided on one side of a first conductivity-type or second conductivity-type semiconductor substrate (1); a first electrode (11) on the first conductivity-type section (3); and a second electrode (12) on the second conductivity-type section (5). The first electrode (11) and the second electrode (12) extend in the direction at an angle of 90±5° with respect to the sides (1a, 1b) of the semiconductor substrate (1). The semiconductor substrate (1) includes a linear groove (6) extending in the direction at an angle of 90±5° with respect to the first electrode (11) and the second electrode (12).
(FR)L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique comprenant : une section d'un premier type de conductivité (3) et une section d'un second type de conductivité (5) qui sont disposées sur un côté de substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité ou d'un second type de conductivité (1); une première électrode (11) placée sur la section du premier type de conductivité; et une seconde électrode (3) (12) placée sur la section du second type de conductivité. La première électrode (11) et la seconde électrode (12) s'étendent dans une direction selon un angle de 90 ± 5° par rapport aux côtés (1a, 1b) du substrat semi-conducteur (1). Le substrat semi-conducteur (1) comprend une rainure linéaire (6) s'étendant dans une direction selon un angle de 90 ± 5° par rapport à la première électrode (11) et à la seconde électrode (12).
(JA)光電変換素子は、第1導電型または第2導電型の半導体基板(1)の一方の側に設けられた第1導電型部(3)および第2導電型部(5)と、第1導電型部(3)上の第1電極(11)と、第2導電型部(5)上の第2電極(12)とを備えている。第1電極(11)および第2電極(12)は、半導体基板(1)の辺(1a,1b)と90°±5°の角度を為す方向に延在している。半導体基板(1)は、第1電極(11)および第2電極(12)と90°±5°の角度を為す方向に延在する線状溝(6)を含んでいる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)