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1. (WO2016051975) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/051975 International Application No.: PCT/JP2015/073134
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 18.08.2015
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventors: NISHIGUCHI, Taro; JP
WADA, Keiji; JP
GENBA, Jun; JP
ITOH, Hironori; JP
DOI, Hideyuki; JP
HIRATSUKA, Kenji; JP
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
2014-20315901.10.2014JP
2014-22607706.11.2014JP
2014-26211125.12.2014JP
Title (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
Abstract: front page image
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate (100) comprises a silicon carbide single crystal substrate (10), and, above the silicon carbide single crystal substrate (10), an epitaxial layer (20). The silicon carbide single crystal substrate (10) diameter is 100 mm or greater. The epitaxial layer (20) thickness is 10 μm or greater. The carrier concentration in the epitaxial layer (20) is between 1 × 1014 cm-3 and 1 × 1016 cm-3 inclusive. The ratio, with respect to the carrier concentration mean value in the epitaxial layer (20) plane, of the carrier concentration standard deviation in the same plane, is 10% or lower. The epitaxial layer (20) has a main surface (21). The arithmetic mean roughness Sa of the main surface (21) is 0.3 nm or lower as per a three dimensional surface roughness measurement. On the main surface (21), the surface density of pits caused by threading screw dislocation is 1000 cm-2 or less. Inside a pit (2), the maximum depth from the main surface (21) is 8 nm or greater.
(FR) L’invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium (100) comprenant un substrat monocristallin de carbure de silicium (10), et, au-dessus du substrat monocristallin de carbure de silicium (10), une couche épitaxiale (20). Le diamètre du substrat monocristallin de carbure de silicium (10) est supérieur ou égal à 100 mm. L'épaisseur de la couche épitaxiale (20) est de 10 µm ou plus. La concentration de porteur dans la couche épitaxiale (20) est comprise entre 1 × 1014 cm-3 et 1 × 1016 cm-3 inclus. Le rapport, par rapport à la valeur moyenne de la concentration de porteur dans le plan de la couche épitaxiale (20), de l'écart type de la concentration de porteur dans le même plan, est inférieur ou égal à 10 %. La couche épitaxiale (20) a une surface principale (21). La rugosité moyenne arithmétique Sa de la surface principale (21) est de 0,3 nm ou moins, selon une mesure de rugosité de surface en trois dimensions. Sur la surface principale (21), la densité superficielle des dépressions provoquées par la dislocation de vis de filetage est de 1 000-2 ou moins. À l'intérieur d'une dépression (2), la profondeur maximale à partir de la surface principale (21) est de 8 nm ou plus.
(JA)  炭化珪素エピタキシャル基板(100)は、炭化珪素単結晶基板(10)と、炭化珪素単結晶基板(10)上に、エピタキシャル層(20)と、を備える。炭化珪素単結晶基板(10)の直径は、100mm以上である。エピタキシャル層(20)の厚さは、10μm以上である。エピタキシャル層(20)のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1016cm-3以下である。エピタキシャル層(20)の面内でのキャリア濃度の平均値に対する、同面内でのキャリア濃度の標準偏差の比率は、10%以下である。エピタキシャル層(20)は、主表面(21)を有する。主表面(21)の三次元表面粗さ測定における算術平均粗さSaは、0.3nm以下である。主表面(21)において、貫通らせん転位に起因するピットの面密度は、1000個cm-2以下である。ピット(2)内において、主表面(21)からの最大深さは、8nm以上である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)